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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.69 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 150 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 15 A | 最大漏源导通电阻： | 0.25 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 100 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MTP15N15W | MOTOROLA |
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Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 150V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| MTP162M3 | CYSTEKEC |
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30V P-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET |
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| MTP16N25E | MOTOROLA |
获取价格 |
TMOS POWER FET 16 AMPERES 250 VOLTS RDS(on) = 0.25 OHM |
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| MTP1N100 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 1000V, 10ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| MTP1N100E | MOTOROLA |
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TMOS POWER FET 1.0 AMPERES 1000 VOLTS RDS(on) = 9.0 OHM |
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| MTP1N45 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 450V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
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| MTP1N50 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 500V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
|
| MTP1N50E | MOTOROLA |
获取价格 |
TMOS POWER FET 1.0 AMPERES 500 VOLTS RDS(on) = 5.0 OHM |
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| MTP1N55 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 550V, 12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- |
|
| MTP1N60 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field Effect Transister N-Channel Enhancement Mode Silicon Gate |
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