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MTP1N100

更新时间： 2024-11-16 17:59:35

品牌	Logo	应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA		/
页数	文件大小	规格书
1页	56K
描述
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 1000V, 10ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

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MTP1N100 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.81
其他特性：	LEADFORM OPTIONS ARE AVAILABLE	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	1000 V
最大漏极电流 (ID)：	1 A	最大漏源导通电阻：	10 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	80 pF
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
功耗环境最大值：	75 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	6 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
最大关闭时间（toff）：	300 ns	最大开启时间（吨）：	200 ns
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MTP1N100E	MOTOROLA	获取价格	TMOS POWER FET 1.0 AMPERES 1000 VOLTS RDS(on) = 9.0 OHM
MTP1N45	MOTOROLA	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 450V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
MTP1N50	MOTOROLA	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 500V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
MTP1N50E	MOTOROLA	获取价格	TMOS POWER FET 1.0 AMPERES 500 VOLTS RDS(on) = 5.0 OHM
MTP1N55	MOTOROLA	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 550V, 12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
MTP1N60	MOTOROLA	获取价格	Power Field Effect Transister N-Channel Enhancement Mode Silicon Gate
MTP1N60	NJSEMI	获取价格	Trans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail
MTP1N60E	MOTOROLA	获取价格	TMOS POWER FET 1.0 AMPERES 600 VOLTS RDS(on) = 8.0 OHM
MTP1N80E	MOTOROLA	获取价格	TMOS POWER FET 1.0 AMPERES 800 VOLTS RDS(on) = 12 OHMS
MTP1N95	MOTOROLA	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 950V, 10ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-