Datasheet > MT58V512V32PF-5

MT58V512V32PF-5

更新时间： 2024-09-18 14:53:59

品牌	Logo	应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
34页	526K
描述
Cache SRAM, 512KX32, 3.1ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, FBGA-165

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

MT58V512V32PF-5 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	TBGA,	针数：	165
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.63
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	3.1 ns
其他特性：	PIPELINED ARCHITECTURE	JESD-30 代码：	R-PBGA-B165
JESD-609代码：	e0	长度：	15 mm
内存密度：	16777216 bit	内存集成电路类型：	CACHE SRAM
内存宽度：	32	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端子数量：	165
字数：	524288 words	字数代码：	512000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	512KX32
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TBGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	220
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：	2.625 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.375 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	BALL
端子节距：	1 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	13 mm
Base Number Matches：	1

MT58V512V32PF-5 数据手册

18Mb: 1 MEG x 18, 512K x 32/36

PIPELINED, SCD SYNCBURST SRAM

MT58L1MY18P, MT58V1MV18P,

MT58L512Y32P, MT58V512V32P,

18Mb SYNCBURST^™

SRAM

MT58L512Y36P, MT58V512V36P

3.3V VDD, 3.3V or 2.5V I/O; 2.5V VDD, 2.5V I/O

Features

Figure 1: 100-Pin TQFP

JEDEC-Standard MS-026 BHA (LQFP)

•

Fast clock and OE# access times

Single 3.3V ±± percent or 2.±V ±± percent power

supply

•

Separate 3.3V ±± percent or 2.±V ±± percent isolated

output buffer supply (VDDQ)

•

SNOOZE MODE for reduced-power standby

Single-cycle deselect (Pentium^®BSRAM-

compatible)

•

Common data inputs and data outputs

Individual byte write control and global write

Three chip enables for simple depth expansion and

address pipelining

•

Clock-controlled and registered addresses, data

I/Os, and control signals

•

Internally self-timed WRITE cycle

Burst control (interleaved or linear burst)

Low capacitive bus loading

Figure 2: 165-Ball FBGA

JEDEC-Standard MS-216 (Var. CAB-1)

TQFP

Options

Marking

•

Timing (Access/Cycle/MHz)

3.1ns/±ns/200 MHz

3.±ns/6ns/166 MHz

4.2ns/7.±ns/133 MHz

±ns/10ns/100 MHz

Configurations

3.3V VDD, 3.3V or 2.±V I/O

1 Meg x 18

-±

-6

-7.±

-10

•

MT±8L1MY18P

MT±8L±12Y32P

MT±8L±12Y36P

±12K x 32

±12K x 36

Part Number Example:

2.±V VDD, 2.±V I/O

1 Meg x 18

±12K x 32

±12K x 36

Packages

MT58L512Y36PT-10

MT±8V1MV18P

MT±8V±12V32P

MT±8V±12V36P

General Description

The Micron^®SyncBurst™ SRAM family employs

high-speed, low-power CMOS designs that are fabri-

cated using an advanced CMOS process.

•

100-pin TQFP

16±-ball, 13mm x 1±mm FBGA

Operating Temperature Range

Commercial (0ºC ? T_A? +70ºC)

F¹

Micron’s 18Mb SyncBurst SRAMs integrate a 1 Meg x

18, ±12K x 32, or ±12K x 36 SRAM core with advanced

synchronous peripheral circuitry and a 2-bit burst

counter. All synchronous inputs pass through registers

controlled by a positive-edge-triggered single-clock

input (CLK). The synchronous inputs include all

addresses, all data inputs, active LOW chip enable

(CE#), two additional chip enables for easy depth

expansion (CE2, CE2#), burst control inputs (ADSC#,

None

IT²

Industrial (-40ºC ? T_A? +8±ºC)

NOTE:

1. A Part Marking Guide for the FBGA devices can be found on

Micron’s Web site—http://www.micron.com/numberguide.

2. Contact factory for availability of Industrial Temperature

devices.

18Mb: 1 Meg x 18, 512K x 32/36, Pipelined, SCD SyncBurst SRAM

MT58L1MY18P1_16_D.fm – Rev. D, Pub 2/03

PRODUCTS AND SPECIFICATIONS DISCUSSED HEREIN ARE SUBJECT TO CHANGE BY MICRON WITHOUT NOTICE.

12 3 4 5 6 7...34

中文翻译

下载PDF

与MT58V512V32PF-5相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MT58V512V32PF-6	CYPRESS	获取价格	Cache SRAM, 512KX32, 3.5ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, FBGA-165
MT58V512V32PT-10	CYPRESS	获取价格	Cache SRAM, 512KX32, 5ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, TQFP-100
MT58V512V32PT-6	CYPRESS	获取价格	Cache SRAM, 512KX32, 3.5ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, TQFP-100
MT58V512V32PT-7.5	CYPRESS	获取价格	Cache SRAM, 512KX32, 4ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, TQFP-100
MT58V512V36D	MICRON	获取价格	16Mb SYNCBURST⑩ SRAM
MT58V512V36DF-7.5	ROCHESTER	获取价格	512KX36 CACHE SRAM, 4ns, PBGA165, 13 X 15 MM, FBGA-165
MT58V512V36DF-7.5	CYPRESS	获取价格	Cache SRAM, 512KX36, 4ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, FBGA-165
MT58V512V36DT-10	CYPRESS	获取价格	Cache SRAM, 512KX36, 5ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, TQFP-100
MT58V512V36DT-7.5	CYPRESS	获取价格	Cache SRAM, 512KX36, 4ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, TQFP-100
MT58V512V36DT-7.5	ROCHESTER	获取价格	512KX36 CACHE SRAM, 4ns, PQFP100, PLASTIC, TQFP-100

与MT58V512V32PF-5相关文章

摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
2024-09-18

21
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
2024-09-18

18
SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
2024-09-03

95
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
2024-09-03

86

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

MT58V512V32PF-5

MT58V512V32PF-5 技术参数

MT58V512V32PF-5 数据手册

与MT58V512V32PF-5相关器件

与MT58V512V32PF-5相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

MT58V512V32PF-5

MT58V512V32PF-5 技术参数

MT58V512V32PF-5 数据手册

与MT58V512V32PF-5相关器件

与MT58V512V32PF-5相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？