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MT58V512V36DT-10

更新时间： 2024-09-18 15:45:03

品牌	Logo	应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
34页	521K
描述
Cache SRAM, 512KX36, 5ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, TQFP-100

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MT58V512V36DT-10 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	QFP
包装说明：	LQFP,	针数：	100
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.63
最长访问时间：	5 ns	其他特性：	PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码：	R-PQFP-G100	JESD-609代码：	e0
长度：	20 mm	内存密度：	18874368 bit
内存集成电路类型：	CACHE SRAM	内存宽度：	36
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	100	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	512KX36	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LQFP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLATPACK, LOW PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	225	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.6 mm	最大供电电压 (Vsup)：	2.625 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.375 V	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	TIN LEAD (800)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.65 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	14 mm	Base Number Matches：	1

MT58V512V36DT-10 数据手册

18Mb: 1 MEG x 18, 512K x 32/36

PIPELINED, DCD SYNCBURST SRAM

MT58L1MY18D, MT58V1MV18D,

MT58L512Y32D, MT58V512V32D,

MT58L512Y36D, MT58V512V36D

3.3V VDD, 3.3V or 2.5V I/O; 2.5V VDD, 2.5V I/O

18Mb SYNCBURST^™

SRAM

Features

•

Fast clock and OE# access times

Figure 1: 100-Pin TQFP

JEDEC-Standard MS-026 BHA (LQFP)

Single 3.3V ±± ꢀercent or 2.±V ±± ꢀercent ꢀower suꢀꢀly

Seꢀarate 3.3V ±± ꢀercent or 2.±V ±± ꢀercent isolated

outꢀut buffer suꢀꢀly (VDDQ)

•

SNOOZE MODE for reduced-ꢀower standby

Common data inꢀuts and data outꢀuts

Individual byte write control and global write

Three chiꢀ enables for simꢀle deꢀth exꢀansion and

address ꢀiꢀelining

•

Clock-controlled and registered addresses, data

I/Os, and control signals

•

Internally self-timed WRITE cycle

Burst control (interleaved or linear burst)

Low caꢀacitive bus loading

TQFP

Options

Marking

•

Timing (Access/Cycle/MHz)

Figure 2: 165-Ball FBGA

JEDEC-Standard MO-216 (Var. CAB-1)

3.1ns/±ns/200 MHz

3.±ns/6ns/166 MHz

4.2ns/7.±ns/133 MHz

±ns/10ns/100 MHz

-±

-6

-7.±

-10

•

Configurations

3.3V VDD, 3.3V or 2.±V I/O

1 Meg x 18

±12K x 32

±12K x 36

MT±8L1MY18D

MT±8L±12Y32D

MT±8L±12Y36D

2.±V VDD, 2.±V I/O

1 Meg x 18

±12K x 32

±12K x 36

MT±8V1MV18D

MT±8V±12V32D

MT±8V±12V36D

Part Number Example:

MT58L512Y36DT-10

•

Packages

100-ꢀin TQFP

16±-ball, 13mm x 1±mm FBGA

General Description

F¹

The Micron^®SyncBurst^™SRAM family emꢀloys

high-sꢀeed, low-ꢀower CMOS designs that are fabri-

cated using an advanced CMOS ꢀrocess.

Oꢀerating Temꢀerature Range

Commercial (0ºC ? T_A? +70ºC

Industrial (-40ºC

None

IT²

Micron’s 18Mb SyncBurst SRAMs integrate a 1 Meg x

18, ±12K x 32, or ±12K x 36 SRAM core with advanced

synchronous ꢀeriꢀheral circuitry and a 2-bit burst

counter. All synchronous inꢀuts ꢀass through registers

controlled by a ꢀositive-edge-triggered single-clock

inꢀut (CLK). The synchronous inꢀuts include all

addresses, all data inꢀuts, active LOW chiꢀ enable

+8±ºC)

NOTE:

1. A Part Marking Guide for the FBGA devices can be found

on Micron’s Web site—http://www.micron.com/number-

guide.

2. Contact factory for availability of Industrial Temperature

devices.

18Mb: 1 Meg x 18, 512K x 32/36, Pipelined, DCD SyncBurst SRAM

MT58L1MY18D_16_D.fm – Rev. D, Pub 2/03

PRODUCTS AND SPECIFICATIONS DISCUSSED HEREIN ARE SUBJECT TO CHANGE BY MICRON WITHOUT NOTICE.

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