是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | BGA | 包装说明: | TBGA, |
针数: | 165 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | 3A991.B.2.A | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.62 | 最长访问时间: | 3.5 ns |
其他特性: | PIPELINED ARCHITECTURE | JESD-30 代码: | R-PBGA-B165 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 15 mm |
内存密度: | 16777216 bit | 内存集成电路类型: | CACHE SRAM |
内存宽度: | 32 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 165 |
字数: | 524288 words | 字数代码: | 512000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 512KX32 | |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TBGA |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY, THIN PROFILE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 220 |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.2 mm |
最大供电电压 (Vsup): | 3.465 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3.135 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | TIN LEAD | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 1 mm | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 13 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MT58L512Y32DT-5 | CYPRESS |
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Cache SRAM, 512KX32, 3.1ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, MS-026BHA, TQFP-100 | |
MT58L512Y32DT-6 | ROCHESTER |
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512KX32 CACHE SRAM, 3.5ns, PQFP100, PLASTIC, TQFP-100 | |
MT58L512Y32FF-10 | CYPRESS |
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Cache SRAM, 512KX32, 10ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, FBGA-165 | |
MT58L512Y32FF-7.5 | CYPRESS |
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Cache SRAM, 512KX32, 7.5ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, FBGA-165 | |
MT58L512Y32FF-8.5 | CYPRESS |
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Cache SRAM, 512KX32, 8.5ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, FBGA-165 | |
MT58L512Y32FT-10 | CYPRESS |
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Cache SRAM, 512KX32, 10ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, TQFP-100 | |
MT58L512Y32FT-8.5 | CYPRESS |
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Cache SRAM, 512KX32, 8.5ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, TQFP-100 | |
MT58L512Y32PF-10 | CYPRESS |
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Cache SRAM, 512KX32, 5ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, FBGA-165 | |
MT58L512Y32PF-5 | CYPRESS |
获取价格 |
Cache SRAM, 512KX32, 3.1ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, FBGA-165 | |
MT58L512Y32PF-7.5 | CYPRESS |
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Cache SRAM, 512KX32, 4ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, FBGA-165 |