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MT58L512Y32DT-5 PDF预览

MT58L512Y32DT-5

更新时间： 2024-09-17 15:45:03
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
34页 521K
描述
Cache SRAM, 512KX32, 3.1ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, MS-026BHA, TQFP-100

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MT58L512Y32DT-5 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：QFP包装说明：LQFP,
针数：100Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：3A991.B.2.AHTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.62最长访问时间：3.1 ns
其他特性：PIPELINED ARCHITECTUREJESD-30 代码：R-PQFP-G100
JESD-609代码：e0长度：20 mm
内存密度：16777216 bit内存集成电路类型：CACHE SRAM
内存宽度：32湿度敏感等级：3
功能数量：1端子数量：100
字数：524288 words字数代码：512000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：512KX32
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：LQFP
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.6 mm
最大供电电压 (Vsup)：3.465 V最小供电电压 (Vsup)：3.135 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：TIN LEAD端子形式：GULL WING
端子节距：0.65 mm端子位置：QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：14 mm
Base Number Matches：1

MT58L512Y32DT-5 数据手册

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18Mb: 1 MEG x 18, 512K x 32/36  
PIPELINED, DCD SYNCBURST SRAM  
MT58L1MY18D, MT58V1MV18D,  
MT58L512Y32D, MT58V512V32D,  
MT58L512Y36D, MT58V512V36D  
3.3V VDD, 3.3V or 2.5V I/O; 2.5V VDD, 2.5V I/O  
18Mb SYNCBURST™  
SRAM  
Features  
•
•
•
Fast clock and OE# access times  
Figure 1: 100-Pin TQFP  
JEDEC-Standard MS-026 BHA (LQFP)  
Single 3.3V ±± ꢀercent or 2.±V ±± ꢀercent ꢀower suꢀꢀly  
Seꢀarate 3.3V ±± ꢀercent or 2.±V ±± ꢀercent isolated  
outꢀut buffer suꢀꢀly (VDDQ)  
•
•
•
•
SNOOZE MODE for reduced-ꢀower standby  
Common data inꢀuts and data outꢀuts  
Individual byte write control and global write  
Three chiꢀ enables for simꢀle deꢀth exꢀansion and  
address ꢀiꢀelining  
•
Clock-controlled and registered addresses, data  
I/Os, and control signals  
•
•
•
Internally self-timed WRITE cycle  
Burst control (interleaved or linear burst)  
Low caꢀacitive bus loading  
TQFP  
Options  
Marking  
•
Timing (Access/Cycle/MHz)  
Figure 2: 165-Ball FBGA  
JEDEC-Standard MO-216 (Var. CAB-1)  
3.1ns/±ns/200 MHz  
3.±ns/6ns/166 MHz  
4.2ns/7.±ns/133 MHz  
±ns/10ns/100 MHz  
-±  
-6  
-7.±  
-10  
•
Configurations  
3.3V VDD, 3.3V or 2.±V I/O  
1 Meg x 18  
±12K x 32  
±12K x 36  
MT±8L1MY18D  
MT±8L±12Y32D  
MT±8L±12Y36D  
2.±V VDD, 2.±V I/O  
1 Meg x 18  
±12K x 32  
±12K x 36  
MT±8V1MV18D  
MT±8V±12V32D  
MT±8V±12V36D  
Part Number Example:  
MT58L512Y36DT-10  
•
•
Packages  
100-ꢀin TQFP  
16±-ball, 13mm x 1±mm FBGA  
T
General Description  
F1  
The Micron® SyncBurst™ SRAM family emꢀloys  
high-sꢀeed, low-ꢀower CMOS designs that are fabri-  
cated using an advanced CMOS ꢀrocess.  
Oꢀerating Temꢀerature Range  
Commercial (0ºC ? TA ? +70ºC  
Industrial (-40ºC  
None  
IT2  
Micron’s 18Mb SyncBurst SRAMs integrate a 1 Meg x  
18, ±12K x 32, or ±12K x 36 SRAM core with advanced  
synchronous ꢀeriꢀheral circuitry and a 2-bit burst  
counter. All synchronous inꢀuts ꢀass through registers  
controlled by a ꢀositive-edge-triggered single-clock  
inꢀut (CLK). The synchronous inꢀuts include all  
addresses, all data inꢀuts, active LOW chiꢀ enable  
?
T
?
+8±ºC)  
A
NOTE:  
1. A Part Marking Guide for the FBGA devices can be found  
on Micron’s Web site—http://www.micron.com/number-  
guide.  
2. Contact factory for availability of Industrial Temperature  
devices.  
18Mb: 1 Meg x 18, 512K x 32/36, Pipelined, DCD SyncBurst SRAM  
MT58L1MY18D_16_D.fm – Rev. D, Pub 2/03  
1
©2003 Micron Technology, Inc.  
PRODUCTS AND SPECIFICATIONS DISCUSSED HEREIN ARE SUBJECT TO CHANGE BY MICRON WITHOUT NOTICE.  
1234567...34

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MT58L512Y32DT-6 ROCHESTER

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