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MT58L512V18PS-6IT

更新时间： 2024-09-17 15:45:03

品牌	Logo	应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
32页	614K
描述
Cache SRAM, 512KX18, 3.5ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, MS-026BHA, TQFP-100

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MT58L512V18PS-6IT 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	QFP	包装说明：	LQFP,
针数：	100	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.22	最长访问时间：	3.5 ns
其他特性：	AUTOMATIC POWER DOWN; SELF-TIMED WRITE CYCLE; INDIVIDUAL BYTE WRITE	JESD-30 代码：	R-PQFP-G100
JESD-609代码：	e0	长度：	20 mm
内存密度：	9437184 bit	内存集成电路类型：	CACHE SRAM
内存宽度：	18	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端子数量：	100
字数：	524288 words	字数代码：	512000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	512KX18
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LQFP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.6 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	14 mm
Base Number Matches：	1

MT58L512V18PS-6IT 数据手册

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8Mb: 512K x 18, 256K x 32/36

PIPELINED, SCD SYNCBURST SRAM

8Mb SYNCBURST^™

SRAM

MT58L512L18P, MT58L256L32P, MT58L256L36P;

MT58L512V18P, MT58L256V32P, MT58L256V36P

3.3V VDD, 3.3V or 2.5V I/O, Pipelined, Single-Cycle

Deselect

FEATURES

100-Pin TQFP

• Fast clock and OE# access times

• Single +3.3V +0.3V/-0.165V power supply (V^DD)

• Separate +3.3V or +2.5V isolated output buffer

supply (VDDQ)

• SNOOZE MODE for reduced-power standby

• Single-cycle deselect (Pentium^®BSRAM-compatible)

• Common data inputs and data outputs

• Individual BYTE WRITE control and GLOBAL

WRITE

• Three chip enables for simple depth expansion

and address pipelining

• Clock-controlled and registered addresses, data

I/Os and control signals

• Internally self-timed WRITE cycle

• Burst control (interleaved or linear burst)

• Automatic power-down for portable applications

• 100-pin TQFP package

165-Pin FBGA

(Preliminary Package Data)

• 165-pin FBGA package

• 119-pin BGA package

• Low capacitive bus loading

• x18, x32, and x36 versions available

OPTIONS

MARKING*

• Timing (Access/Cycle/MHz)

3.1ns/5ns/200 MHz

3.5ns/6ns/166 MHz

4.0ns/7.5ns/133 MHz

5ns/10ns/100 MHz

• Configurations

3.3V I/O

-5

-6

-7.5

-10

119-Pin BGA

512K x 18

256K x 32

256K x 36

MT58L512L18P

MT58L256L32P

MT58L256L36P

2.5V I/O

512K x 18

256K x 32

256K x 36

MT58L512V18P

MT58L256V32P

MT58L256V36P

• Packages

100-pin TQFP (2-chip enable)

100-pin TQFP (3-chip enable)

165-pin, 13mm x 15mm FBGA

119-pin, 14mm x 22mm BGA

• Operating Temperature Range

Commercial (0°C to +70°C)

Industrial (-40°C to +85°C)**

NOTE: 1. JEDEC-standard MS-026 BHA (LQFP).

2. JEDEC-standard MS-028 BHA (PBGA).

Part Number Example:

None

MT58L512L18PT-6

* A Part Marking Guide for the FBGA devices can be found on Micron’s

web site—http://www.micron.com/support/index.html.

**Industrial temperature range offered in specific speed grades and

confgurations. Contact factory for more information.

8Mb: 512K x 18, 256K x 32/36 Pipelined, SCD SyncBurst SRAM

MT58L512L18P_2.p65 – Rev. 6/01

Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.

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MT58L512V18PT-10	CYPRESS	获取价格	Cache SRAM, 512KX18, 5ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, TQFP-100
MT58L512V18PT-10IT	CYPRESS	获取价格	Cache SRAM, 512KX18, 5ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, MS-026BHA, TQFP-100
MT58L512V18PT-6	CYPRESS	获取价格	Cache SRAM, 512KX18, 3.5ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, TQFP-100
MT58L512V18PT-7.5	CYPRESS	获取价格	Cache SRAM, 512KX18, 4ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, TQFP-100
MT58L512V18PT-7.5IT	CYPRESS	获取价格	Cache SRAM, 512KX18, 4ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, MS-026BHA, TQFP-100
MT58L512Y32D	MICRON	获取价格	16Mb SYNCBURST⑩ SRAM
MT58L512Y32DF-6	CYPRESS	获取价格	Cache SRAM, 512KX32, 3.5ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, FBGA-165
MT58L512Y32DT-5	CYPRESS	获取价格	Cache SRAM, 512KX32, 3.1ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, MS-026BHA, TQFP-100
MT58L512Y32DT-6	ROCHESTER	获取价格	512KX32 CACHE SRAM, 3.5ns, PQFP100, PLASTIC, TQFP-100

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