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MT58L128L36P1T-5IT

更新时间: 2024-02-16 14:36:26
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
27页 447K
描述
Cache SRAM, 128KX36, 3.1ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, MS-026BHA, TQFP-100

MT58L128L36P1T-5IT 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:QFP包装说明:LQFP,
针数:100Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:3A991.B.2.AHTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.44最长访问时间:3.1 ns
JESD-30 代码:R-PQFP-G100JESD-609代码:e0
长度:20 mm内存密度:4718592 bit
内存集成电路类型:CACHE SRAM内存宽度:36
湿度敏感等级:3功能数量:1
端子数量:100字数:131072 words
字数代码:128000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:128KX36封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:LQFP封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLATPACK, LOW PROFILE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.6 mm最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3.135 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:TIN LEAD
端子形式:GULL WING端子节距:0.65 mm
端子位置:QUAD处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:14 mmBase Number Matches:1

MT58L128L36P1T-5IT 数据手册

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PRELIMINARY  
4Mb : 256K x 18, 128K x 32/36  
PIPELINED, SCD SYNCBURST SRAM  
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM  
256K x 18  
18  
16  
18  
18  
2
ADDRESS  
REGISTER  
SA0, SA1, SA  
MODE  
SA0, SA1  
Q1  
SA1'  
ADV#  
CLK  
BINARY  
COUNTER AND  
LOGIC  
SA0'  
CLR  
Q0  
ADSC#  
ADSP#  
BYTE “b”  
WRITE DRIVER  
BYTE “b”  
WRITE REGISTER  
9
9
9
9
OUTPUT  
BUFFERS  
BWb#  
256K x 9 x 2  
MEMORY  
ARRAY  
DQs  
DQPa  
DQPb  
OUTPUT  
REGISTERS  
SENSE  
AMPS  
18  
18  
18  
18  
BYTE “a”  
WRITE DRIVER  
E
BYTE “a”  
WRITE REGISTER  
BWa#  
BWE#  
INPUT  
REGISTERS  
GW#  
18  
ENABLE  
REGISTER  
CE#  
CE2  
PIPELINED  
ENABLE  
CE2#  
OE#  
2
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM  
128K x 32/36  
17  
15  
17  
17  
ADDRESS  
REGISTER  
SA0, SA1, SA  
MODE  
SA0, SA1  
SA1'  
Q1  
BINARY  
COUNTER  
ADV#  
CLK  
SA0'  
CLR  
Q0  
ADSC#  
ADSP#  
BYTE “d”  
WRITE DRIVER  
BYTE “d”  
WRITE REGISTER  
BWd#  
BWc#  
128K x 8 x 4  
(x32)  
BYTE “c”  
WRITE DRIVER  
BYTE “c”  
WRITE REGISTER  
DQs  
DQPa  
OUTPUT  
BUFFERS  
OUTPUT  
REGISTERS  
128K x 9 x 4  
(x36)  
SENSE  
AMPS  
E
BYTE “b”  
WRITE DRIVER  
MEMORY  
ARRAY  
BYTE “b”  
WRITE REGISTER  
DQPd  
BWb#  
BYTE “a”  
WRITE DRIVER  
BYTE “a”  
WRITE REGISTER  
BWa#  
BWE#  
INPUT  
REGISTERS  
GW#  
CE#  
CE2  
ENABLE  
REGISTER  
PIPELINED  
ENABLE  
CE2#  
OE#  
4
NOTE: Functional block diagrams illustrate simplified device operation. See truth tables, pin descriptions and timing diagrams  
for detailed information.  
4Mb: 256K x 18, 128K x 32/36 Pipelined, SCD SyncBurst SRAM  
MT58L256L18P1.p65 – Rev. 3/00  
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.  
©2000, Micron Technology, Inc.  
2

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
MT58L128L36P1T-6 CYPRESS Cache SRAM, 128KX36, 3.5ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, MS-026, TQFP-100

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MT58L128L36P1T-6IT CYPRESS Cache SRAM, 128KX36, 3.5ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, MS-026BHA, TQFP-100

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MT58L128L36P1T-7.5 CYPRESS Cache SRAM, 128KX36, 4ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, MS-026, TQFP-100

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MT58L128L36P1T-7.5IT CYPRESS Cache SRAM, 128KX36, 4ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, MS-026BHA, TQFP-100

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MT58L128V18F MICRON 2Mb: 128K x 18, 64K x 32/36 FLOW-THROUGH SYNCBURST SRAM

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MT58L128V18FF-10 CYPRESS Standard SRAM, 128KX18, 10ns, CMOS, PBGA165, FBGA-165

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