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MT58L128V18FF-10

更新时间： 2024-02-02 18:39:57

品牌	Logo	应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
25页	484K
描述
Standard SRAM, 128KX18, 10ns, CMOS, PBGA165, FBGA-165

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MT58L128V18FF-10 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	BGA	包装说明：	FBGA-165
针数：	165	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.61	最长访问时间：	10 ns
最大时钟频率 (fCLK)：	66 MHz	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PBGA-B165	JESD-609代码：	e0
长度：	15 mm	内存密度：	2359296 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	18
功能数量：	1	端子数量：	165
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	128KX18
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TBGA	封装等效代码：	BGA165,11X15,40
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	电源：	2.5,3.3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大待机电流：	0.01 A	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.15 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3.135 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	BALL	端子节距：	1 mm
端子位置：	BOTTOM	宽度：	13 mm
Base Number Matches：	1

MT58L128V18FF-10 数据手册

2Mb : 128K x 18, 64K x 32/36

FLOW-THROUGH SYNCBURST SRAM

2Mb SYNCBURST^™

SRAM

MT58L128L18F, MT58L64L32F,

MT58L64L36F; MT58L128V18F,

MT58L64V32F, MT58L64V36F

3.3V VDD, 3.3V o r 2.5V I/O, Flo w -Th ro u g h

FEATURES

100-Pin TQFP*

• Fast clock and OE# access times

• Single +3.3V +0.3V/-0.165V power supply (V^DD)

• Separate +3.3V or +2.5V isolated output buffer

supply (VDDQ)

• SNOOZE MODE for reduced-power standby

• Common data inputs and data outputs

• Individual BYTE WRITE control and GLOBAL

WRITE

• Three chip enables for simple depth expansion and

address pipelining

• Clock-controlled and registered addresses, data

I/Os and control signals

• Internally self-timed WRITE cycle

• Burst control pin (interleaved or linear burst)

• Automatic power-down

• 100-pin TQFP package

• 165-pin FBGA package

165-Pin FBGA

(Preliminary Package Data)

• Low capacitive bus loading

• x18, x32, and x36 versions available

OPTIONS

MARKING

• Timing (Access/Cycle/MHz)

6.8ns/8.0ns/125 MHz

7.5ns/8.8ns/113 MHz

8.5ns/10ns/100 MHz

10ns/15ns/66 MHz

-6.8

-7.5

-8.5

-10

• Configurations

3.3V I/O

128K x 18

64K x 32

64K x 36

MT58L128L18F

MT58L64L32F

MT58L64L36F

*JEDEC-standard MS-026 BHA (LQFP).

2.5V I/O

128K x 18

64K x 32

64K x 36

MT58L128V18F

MT58L64V32F

MT58L64V36F

GENERAL DESCRIPTION

• Packages

The Micron^®SyncBurst^™SRAM family employs

high-speed, low-power CMOS designs that are fabri-

cated using an advanced CMOS process.

100-pin TQFP

165-pin FBGA

Micron’s 2Mb SyncBurst SRAMs integrate a 128K x

18, 64K x 32, or 64K x 36 SRAM core with advanced

synchronous peripheral circuitry and a 2-bit burst

counter. All synchronous inputs pass through registers

controlled by a positive-edge-triggered single clock

input (CLK). The synchronous inputs include all ad-

dresses, all data inputs, active LOW chip enable (CE#),

• Operating Temperature Range

Commercial (0°C to +70°C)

None

Part Number Example:

MT58L64L36FT-8.5*

*See page 24 for the FBGA Part Marking Guide

2Mb: 128K x 18, 64K x 32/36 Flow-Through SyncBurst SRAM

MT58L128L18F_2.p65 – Rev. 8/00

Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
MT58L128V18FF-6.8	CYPRESS	Standard SRAM, 128KX18, 6.8ns, CMOS, PBGA165, FBGA-165	获取价格
MT58L128V18FF-7.5	CYPRESS	Standard SRAM, 128KX18, 7.5ns, CMOS, PBGA165, FBGA-165	获取价格
MT58L128V18FF-8.5	CYPRESS	128KX18 STANDARD SRAM, 8.5ns, PBGA165, FBGA-165	获取价格
MT58L128V18FT-10	MICRON	2Mb: 128K x 18, 64K x 32/36 FLOW-THROUGH SYNCBURST SRAM	获取价格
MT58L128V18FT-10IT	CYPRESS	Standard SRAM, 128KX18, 10ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, MS-026BHA, TQFP-100	获取价格
MT58L128V18FT-6.8	MICRON	2Mb: 128K x 18, 64K x 32/36 FLOW-THROUGH SYNCBURST SRAM	获取价格

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