5秒后页面跳转
MT58L128V32F1B-10 PDF预览

MT58L128V32F1B-10

更新时间: 2024-02-21 10:03:28
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 静态存储器
页数 文件大小 规格书
31页 349K
描述
Standard SRAM, 128KX32, 10ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, MS-028BHA, BGA-119

MT58L128V32F1B-10 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:BGA包装说明:14 X 22 MM, PLASTIC, MS-028BHA, BGA-119
针数:119Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:3A991.B.2.AHTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.6最长访问时间:10 ns
最大时钟频率 (fCLK):66 MHzI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PBGA-B119JESD-609代码:e0
长度:22 mm内存密度:4194304 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:32
功能数量:1端子数量:119
字数:131072 words字数代码:128000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:128KX32
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:BGA封装等效代码:BGA119,7X17,50
封装形状:RECTANGULAR封装形式:GRID ARRAY
并行/串行:PARALLEL电源:2.5,3.3 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:2.4 mm
最大待机电流:0.01 A最小待机电流:3.14 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.25 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3.135 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:BALL
端子节距:1.27 mm端子位置:BOTTOM
宽度:14 mmBase Number Matches:1

MT58L128V32F1B-10 数据手册

 浏览型号MT58L128V32F1B-10的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MT58L128V32F1B-10的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MT58L128V32F1B-10的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MT58L128V32F1B-10的Datasheet PDF文件第5页浏览型号MT58L128V32F1B-10的Datasheet PDF文件第6页浏览型号MT58L128V32F1B-10的Datasheet PDF文件第7页 
4Mb : 256K x 18, 128K x 32/36  
FLOW-THROUGH SYNCBURST SRAM  
4Mb SYNCBURST™  
SRAM  
MT58L256L18F1, MT58L128L32F1,  
MT58L128L36F1; MT58L256V18F1,  
MT58L128V32F1, MT58L128V36F1  
3.3V VDD, 3.3V o r 2.5V I/O, Flo w -Th ro u g h  
FEATURES  
1
• Fast clock an d OE# access tim es  
• Sin gle +3.3V +0.3V/-0.165V power supply (VDD)  
• Separate +3.3V or +2.5V isolated output buffer  
supply (VDDQ)  
100-Pin TQFP  
• SNOOZE MODE for reduced-power stan dby  
• Com m on data in puts an d data outputs  
• Individual BYTE WRITE control and GLOBAL WRITE  
• Th ree ch ip en ables for sim ple depth expan sion  
an d address pipelin in g  
• Clock-con trolled an d registered addresses, data  
I/Os an d con trol sign als  
• In tern ally self-tim ed WRITE cycle  
• Burst con trol pin (in terleaved or lin ear burst)  
• Autom atic power-down  
• 165-pin FBGA package  
• 100-pin TQFP package  
• 119-pin BGA package  
• Low capacitive bus loadin g  
165-Pin FBGA  
(Preliminary Package Data)  
• x18, x32, an d x36 version s available  
OPTIONS  
MARKING  
• Tim in g (Access/Cycle/MHz)  
6.8n s/7.5n s/133 MHz  
7.5n s/8.8n s/113 MHz  
8.5n s/10n s/100 MHz  
10n s/15n s/66 MHz  
-6.8  
-7.5  
-8.5  
-10  
Con figuration s  
3.3V I/O  
256K x 18  
128K x 32  
128K x 36  
2.5V I/O  
MT58L256L18F1  
MT58L128L32F1  
MT58L128L36F1  
2
119-Pin BGA  
256K x 18  
128K x 32  
128K x 36  
MT58L256V18F1  
MT58L128V32F1  
MT58L128V36F1  
• Packages  
100-pin TQFP  
165-pin FBGA  
119-pin , 14m m x 22m m BGA  
T
F*  
B
Operatin g Tem perature Ran ge  
Com m ercial (0°C to +70°C)  
In dustrial (-40°C to +85°C)**  
Non e  
IT  
Part Number Example:  
MT58L256L18F1T-8.5  
* A Part Markin g Guide for th e FBGA devices can be foun d on Micron s  
Web site—h ttp://www.m icron .com /support/in dex.h tm l.  
** In dustrial tem perature ran ge offered in specific speed grades an d  
con figuration s. Con tact factory for m ore in form ation .  
NOTE: 1. JEDEC-standard MS-026 BHA (LQFP).  
2. JEDEC-standard MS-028 BHA(PBGA).  
4Mb: 256K x 18, 128K x 32/36 Flow-Through SyncBurst SRAM  
MT58L256L18F1_D.p65 – Rev. 10/01  
Micron Technology, Inc., reservesthe right to change productsor specificationswithout notice.  
1
©2001, Micron Technology, Inc.  

与MT58L128V32F1B-10相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MT58L128V32F1B-6.8IT CYPRESS

获取价格

Standard SRAM, 128KX32, 6.8ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, MS-028BHA, BGA-119
MT58L128V32F1B-8.5 CYPRESS

获取价格

Standard SRAM, 128KX32, 8.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, MS-028BHA, BGA-119
MT58L128V32F1B-8.5IT CYPRESS

获取价格

Standard SRAM, 128KX32, 8.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, MS-028BHA, BGA-119
MT58L128V32F1F-10 CYPRESS

获取价格

Cache SRAM, 128KX32, 10ns, CMOS, PBGA165, FBGA-165
MT58L128V32F1F-6.8IT CYPRESS

获取价格

Standard SRAM, 128KX32, 6.8ns, CMOS, PBGA165, FBGA-165
MT58L128V32F1F-7.5 CYPRESS

获取价格

Cache SRAM, 128KX32, 7.5ns, CMOS, PBGA165, FBGA-165
MT58L128V32F1F-8.5 CYPRESS

获取价格

Cache SRAM, 128KX32, 8.5ns, CMOS, PBGA165, FBGA-165
MT58L128V32F1T-10IT CYPRESS

获取价格

Cache SRAM, 128KX32, 10ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, MS-026BHA, TQFP-100
MT58L128V32F1T-6.8IT CYPRESS

获取价格

Cache SRAM, 128KX32, 6.8ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, MS-026BHA, TQFP-100
MT58L128V32F1T-8.5 CYPRESS

获取价格

Cache SRAM, 128KX32, 8.5ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, MS-026, TQFP-100