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MT58L128V18FF-10

更新时间: 2024-01-27 20:35:50
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
25页 484K
描述
Standard SRAM, 128KX18, 10ns, CMOS, PBGA165, FBGA-165

MT58L128V18FF-10 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
零件包装代码:BGA包装说明:FBGA-165
针数:165Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:3A991.B.2.AHTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.61最长访问时间:10 ns
最大时钟频率 (fCLK):66 MHzI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PBGA-B165JESD-609代码:e0
长度:15 mm内存密度:2359296 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:18
功能数量:1端子数量:165
字数:131072 words字数代码:128000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:128KX18
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TBGA封装等效代码:BGA165,11X15,40
封装形状:RECTANGULAR封装形式:GRID ARRAY, THIN PROFILE
并行/串行:PARALLEL电源:2.5,3.3 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.2 mm
最大待机电流:0.01 A子类别:SRAMs
最大压摆率:0.15 mA最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3.135 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:BALL端子节距:1 mm
端子位置:BOTTOM宽度:13 mm
Base Number Matches:1

MT58L128V18FF-10 数据手册

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2Mb : 128K x 18, 64K x 32/36  
FLOW-THROUGH SYNCBURST SRAM  
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM  
128K x 18  
17  
15  
17  
17  
2
ADDRESS  
REGISTER  
SA0, SA1, SA  
MODE  
SA0-SA1  
Q1  
SA1'  
SA0'  
ADV#  
CLK  
BINARY  
COUNTER AND  
LOGIC  
CLR  
Q0  
ADSC#  
ADSP#  
BYTE b”  
WRITE DRIVER  
BYTE b”  
WRITE REGISTER  
9
9
9
9
BWb#  
DQs  
DQPa  
DQPb  
128K x 9 x 2  
MEMORY  
ARRAY  
OUTPUT  
BUFFERS  
SENSE  
AMPS  
18  
18  
18  
BYTE a”  
WRITE DRIVER  
BYTE a”  
WRITE REGISTER  
BWa#  
BWE#  
INPUT  
REGISTERS  
GW#  
18  
ENABLE  
REGISTER  
CE#  
CE2  
CE2#  
2
OE#  
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM  
64K x 32/36  
16  
14  
16  
16  
ADDRESS  
REGISTER  
SA0, SA1, SA  
MODE  
SA0-SA1  
Q1  
Q0  
ADV#  
CLK  
BINARY  
COUNTER  
AND LOGIC  
CLR  
SA1'  
SA0'  
ADSC#  
ADSP#  
BYTE d”  
WRITE DRIVER  
BYTE d”  
WRITE REGISTER  
BWd#  
18  
18  
18  
18  
64K x 8 x 4  
(x32)  
BYTE c”  
WRITE DRIVER  
BWc#  
BYTE c”  
WRITE REGISTER  
OUTPUT  
BUFFERS  
64K x 9 x 4  
(x36)  
DQs  
SENSE  
AMPS  
36  
36  
36  
DQPa  
DQPb  
DQPc  
DQPd  
BYTE b”  
WRITE DRIVER  
BYTE b”  
WRITE REGISTER  
18  
18  
18  
18  
BWb#  
MEMORY  
ARRAY  
BYTE a”  
WRITE DRIVER  
BYTE a”  
WRITE REGISTER  
BWa#  
BWE#  
INPUT  
REGISTERS  
GW#  
36  
ENABLE  
REGISTER  
CE#  
CE2  
CE2#  
OE#  
4
NOTE: Functional Block Diagrams illustrate simplified device operation. See truth table, pin descriptions and timing diagrams for  
detailed information.  
2Mb: 128K x 18, 64K x 32/36 Flow-Through SyncBurst SRAM  
MT58L128L18F_2.p65 – Rev. 8/00  
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.  
©2000,MicronTechnology,Inc.  
2

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