Datasheet > MT58L128V18FT-7.5T

MT58L128V18FT-7.5T

更新时间： 2024-01-12 12:00:38

品牌	Logo	应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
17页	243K
描述
Cache SRAM, 128KX18, 7.5ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, MS-026, TQFP-100

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MT58L128V18FT-7.5T 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	QFP
包装说明：	LQFP,	针数：	100
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.45
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	7.5 ns
其他特性：	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE	JESD-30 代码：	R-PQFP-G100
长度：	20 mm	内存密度：	2359296 bit
内存集成电路类型：	CACHE SRAM	内存宽度：	18
功能数量：	1	端子数量：	100
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	128KX18
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LQFP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.6 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3.135 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	QUAD
宽度：	14 mm	Base Number Matches：	1

MT58L128V18FT-7.5T 数据手册

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2Mb: 128K x 18, 64K x 32/36

FLOW-THROUGH SYNCBURST SRAM

MT58L128L18F, MT58L64L32F,

MT58L64L36F; MT58L128V18F,

MT58L64V32F, MT58L64V36F

2Mb SYNCBURST^™

SRAM

3.3V VDD, 3.3V or 2.5V I/O, Flow-Through

FEATURES

• Fast clock and OE# access times

100-Pin TQFP**

• Single +3.3V +0.3V/ -0.165V power supply (V^DD)

• Separate +3.3V or +2.5V isolated output buffer supply

(VDDQ)

(D-1)

• SNOOZE MODE for reduced-power standby

• Common data inputs and data outputs

• Individual BYTE WRITE control and GLOBAL WRITE

• Three chip enables for simple depth expansion and

address pipelining

• Clock-controlled and registered addresses, data I/ Os

and control signals

• Internally self-timed WRITE cycle

• Burst control pin (interleaved or linear burst)

• Automatic power-down for portable applications

• 100-lead TQFP package for high density, high speed

• Low capacitive bus loading

• x18, x32 and x36 versions available

**JEDEC-standard MS-026 BHA (LQFP).

OPTIONS

MARKING

• Timing (Access/ Cycle/ MHz)

6.8ns/ 8.0ns/ 125 MHz

7.5ns/ 8.8ns/ 113 MHz

8.5ns/ 10ns/ 100 MHz

10ns/ 15ns/ 66 MHz

-6.8

-7.5

-8.5

-10

GENERAL DESCRIPTION

™

The Micron SyncBurst SRAM family employs high-

speed, low-power CMOS designs that are fabricated using

an advanced CMOS process.

Micron’s 2Mb SyncBurst SRAMs integrate a 128K x 18,

64Kx32,or 64Kx36SRAM corewith advanced synchronous

peripheral circuitry and a 2-bit burst counter. All

synchronous inputs pass through registers controlled by a

positive-edge-triggered single clock input (CLK). The

synchronous inputs include all addresses, all data inputs,

active LOW chip enable (CE#), two additional chip enables

for easy depth expansion (CE2, CE2#), burst control inputs

(ADSC#, ADSP#, ADV#), byte write enables (BWx#) and

global write (GW#).

• Configurations

3.3V I/ O

128K x 18

64K x 32

64K x 36

MT58L128L18F

MT58L64L32F

MT58L64L36F

2.5V I/ O

128K x 18

64K x 32

64K x 36

MT58L128V18F

MT58L64V32F

MT58L64V36F

Asynchronous inputs include the output enable (OE#),

snooze enable (ZZ) and clock (CLK). There is also a burst

mode pin (MODE) that selects between interleaved and

linear burst modes. The data-out (Q), enabled by OE#, is

also asynchronous. WRITE cycles can be from one to two

bytes wide (x18) or from one to four bytes wide (x32/ x36),

as controlled by the write control inputs.

• Package

100-pin TQFP

• Temperature

Commercial (0°C to +70°C)

Industrial (-40°C to +85°C)

None

Burst operation can be initiated with either address status

processor (ADSP#) or address status controller (ADSC#)

input pins. Subsequent burst addresses can be internally

generated as controlled by the burst advance pin (ADV#).

• Part Number Example: MT58L64L36FT-8.5 T

*Under consideration.

2Mb: 128K x 18, 64K x 32/36 Flow-Through SyncBurst SRAM

MT58L128L18F.p65 – Rev. 6/99

Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.

1999, Micron Technology, Inc.

All registered and unregistered trademarks are the sole property of their respective companies.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MT58L128V18FT-8.5	MICRON	获取价格	2Mb: 128K x 18, 64K x 32/36 FLOW-THROUGH SYNCBURST SRAM
MT58L128V18FT-8.5T	CYPRESS	获取价格	Standard SRAM, 128KX18, 8.5ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, MS-026, TQFP-100
MT58L128V18PF-10	CYPRESS	获取价格	Standard SRAM, 128KX18, 5ns, CMOS, PBGA165, FBGA-165
MT58L128V18PF-10IT	CYPRESS	获取价格	Standard SRAM, 128KX18, 5ns, CMOS, PBGA165, FBGA-165
MT58L128V18PF-5	CYPRESS	获取价格	Standard SRAM, 128KX18, 3.5ns, CMOS, PBGA165, FBGA-165
MT58L128V18PF-6	CYPRESS	获取价格	Standard SRAM, 128KX18, 3.5ns, CMOS, PBGA165, FBGA-165
MT58L128V18PF-7.5IT	CYPRESS	获取价格	Standard SRAM, 128KX18, 4ns, CMOS, PBGA165, FBGA-165
MT58L128V18PT-10T	CYPRESS	获取价格	Standard SRAM, 128KX18, 5ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, MS-026, TQFP-100
MT58L128V18PT-5T	CYPRESS	获取价格	Cache SRAM, 128KX18, 3.5ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, MS-026, TQFP-100
MT58L128V18PT-6IT	CYPRESS	获取价格	Cache SRAM, 128KX18, 3.5ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, MS-026BHA, TQFP-100

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