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Datasheet > MT58L128V18FF-10
MT58L128V18FF-10 PDF预览

MT58L128V18FF-10

更新时间： 2024-02-06 05:13:48
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
25页 484K
描述
Standard SRAM, 128KX18, 10ns, CMOS, PBGA165, FBGA-165

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MT58L128V18FF-10 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
零件包装代码：BGA包装说明：FBGA-165
针数：165Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：3A991.B.2.AHTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.61最长访问时间：10 ns
最大时钟频率 (fCLK)：66 MHzI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PBGA-B165JESD-609代码：e0
长度：15 mm内存密度：2359296 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：18
功能数量：1端子数量：165
字数：131072 words字数代码：128000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：128KX18
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TBGA封装等效代码：BGA165,11X15,40
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE
并行/串行：PARALLEL电源：2.5,3.3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
最大待机电流：0.01 A子类别：SRAMs
最大压摆率：0.15 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：3.135 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：BALL端子节距：1 mm
端子位置：BOTTOM宽度：13 mm
Base Number Matches：1

MT58L128V18FF-10 数据手册

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2Mb : 128K x 18, 64K x 32/36  
FLOW-THROUGH SYNCBURST SRAM  
TQFP PIN DESCRIPTIONS (co n t in u e d )  
x18  
x32/x36  
SYMBOL TYPE  
DESCRIPTION  
85  
85  
ADSC#  
Input Synchronous Address Status Controller: This active LOW input  
interrupts any ongoing burst, causing a new external address to be  
registered. A READ or WRITE is performed using the new address if  
CE# is LOW. ADSC# is also used to place the chip into power-down  
state when CE# is HIGH.  
31  
64  
31  
64  
MODE  
ZZ  
Input Mode: This input selects the burst sequence. A LOW on this pin  
selects “linear burst.” NC or HIGH on this pin selects “interleaved  
burst.” Do not alter input state while device is operating.  
Input Snooze Enable: This active HIGH, asynchronous input causes the  
device to enter a low-power standby mode in which all data in the  
memory array is retained. When ZZ is active, all other inputs are  
ignored.  
(a) 58, 59,  
62, 63, 68, 69, 56-59, 62, 63  
72, 73  
(b) 8, 9, 12,  
13, 18, 19, 22, 72-75, 78, 79  
(a) 52, 53,  
DQa  
DQb  
Input/ SRAM Data I/Os: For the x18 version, Byte “a” is DQa pins; Byte “b”  
Output is DQb pins. For the x32 and x36 versions, Byte “a” is DQa pins;  
Byte “b” is DQb pins; Byte “c” is DQc pins; Byte “d” is DQd pins.  
Input data must meet setup and hold times around the rising edge  
of CLK.  
(b) 68, 69,  
23  
(c) 2, 3, 6-9,  
12, 13  
(d) 18, 19,  
22-25, 28, 29  
DQc  
DQd  
74  
24  
–
51  
80  
1
NC/DQPa  
NC/DQPb  
NC/DQPc  
NC/DQPd  
NC/ No Connect/Parity Data I/Os: On the x32 version, these pins are No  
I/O  
Connect (NC). On the x18 version, Byte “a” parity is DQPa; Byte “b”  
parity is DQPb. On the x36 version, Byte “a” parity is DQPa; Byte  
“b” parity is DQPb; Byte “c” parity is DQPc; Byte “d” parity is DQPd.  
–
30  
15, 41, 65, 91 15, 41, 65, 91  
VDD  
Supply Power Supply: See DC Electrical Characteristics and Operating  
Conditions for range.  
4, 11, 20, 27, 4, 11, 20, 27,  
54, 61, 70, 77 54, 61, 70, 77  
VDDQ  
Supply Isolated Output Buffer Supply: See DC Electrical Characteristics and  
Operating Conditions for range.  
5, 10, 14, 17, 5, 10, 14, 17,  
21, 26, 40, 55, 21, 26, 40, 55,  
60, 67, 71, 76, 60, 67, 71, 76,  
VSS  
Supply Ground: GND.  
90  
90  
38, 39, 42, 43 38, 39, 42, 43  
DNU  
NC  
–
–
Do Not Use: These signals may either be unconnected or wired to  
GND to improve package heat dissipation.  
1-3, 6, 7, 16,  
25, 28-30,  
16, 66  
50  
No Connect: These signals are not internally connected and may be  
connected to ground to improve package heat dissipation.  
51-53, 56, 57,  
66, 75, 78, 79,  
95, 96  
50  
NC/SA  
–
No Connect: This pin is reserved for address expansion.  
2Mb: 128K x 18, 64K x 32/36 Flow-Through SyncBurst SRAM  
MT58L128L18F_2.p65 – Rev. 8/00  
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.  
6
©2000,MicronTechnology,Inc.  
1...3456789...25

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