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MSC82010 PDF预览

MSC82010

更新时间： 2024-11-28 22:51:07
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体放大器晶体管射频微波
页数 文件大小 规格书
5页 90K
描述
RF & MICROWAVE TRANSISTORS GENERAL PURPOSE AMPLIFIER APPLICATIONS

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MSC82010 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, O-CRFM-F2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.84外壳连接：BASE
最大集电极电流 (IC)：1.5 A基于收集器的最大容量：19 pF
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：15
最高频带：L BANDJESD-30 代码：O-CRFM-F2
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：200 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：ROUND封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：35 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子形式：FLAT
端子位置：RADIAL晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

MSC82010 数据手册

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MSC82010  
RF & MICROWAVE TRANSISTORS  
GENERAL PURPOSE AMPLIFIER APPLICATIONS  
.
.
EMITTER BALLASTED  
VSWR CAPABILITY :1 @ RATED  
∞
CONDITIONS  
.
.
HERMETIC STRIPAC PACKAGE  
POUT  
2.0 GHz  
10 W MIN. WITH 5.2 dB GAIN @  
=
.250 2LFL (S010)  
hermetically sealed  
ORDER CODE  
BRANDING  
82010  
MSC82010  
PIN CONNECTION  
DESCRIPTION  
The MSC82010 is a common base hermetically  
sealed silicon NPN microwave transistor utilizing  
a fishbone emitter ballasted geometry with a re-  
fractory/gold metallization system. This device is  
capable of withstanding an infinite load VSWR at  
any phase angle under rated rated conditions. The  
MSC82010 was designed for Class C amplifier  
applications in the 1.0 - 2.0 GHz frequency range.  
1. Collector  
2. Base  
3. Emitter  
4. Base  
°
= 25 C)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T  
case  
Symbol  
PDISS  
IC  
Parameter  
Value  
35  
Unit  
W
A
Power Dissipation*  
Device Current*  
1.5  
35  
VCC  
TJ  
Collector-Supply Voltage*  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
V
°
°
200  
C
C
TSTG  
− 65 to +200  
THERMAL DATA  
°
C/W  
RTH(j-c)  
Junction-Case Thermal Resistance*  
5.0  
*Applies only to rated RF amplifier operation  
1/5  
October 1992  
12345

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