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ASI2010

更新时间： 2024-11-13 22:39:15

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ASI		晶体射频双极晶体管放大器局域网
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描述
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

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ASI2010 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-CRFM-F2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.13
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	1.5 A
基于收集器的最大容量：	7.5 pF	集电极-发射极最大电压：	35 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	15
最高频带：	S BAND	JESD-30 代码：	O-CRFM-F2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	35 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	FLAT
端子位置：	RADIAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

ASI2010 数据手册

ASI2010

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION:

PACKAGE STYLE .250 2L FLG

The ASI 2010 is Designed for General

Purpose Class C Power Amplifier

Applications up to 2300 MHz.

ØD

.060 x 45°

CHAMFER

FEATURES:

· P_G= 5 dB min. at 10 W/ 2,000 MHz

· Hermetic Microstrip Package

· Omnigold™ Metalization System

MINIMUM

inches / mm

MAXIMUM

inches / mm

DIM

.028 / 0.71

.740 / 18.80

.245 / 6.22

.128 / 3.25

.032 / 0.81

.255 / 6.48

.132 / 3.35

MAXIMUM RATINGS

.125 / 3.18

.117 / 2.97

I_C

1.5 A

.110 / 2.79

.117 / 2.97

V_CC

P_DISS

T_J

35 V

.560 / 14.22

.790 / 20.07

.225 / 5.72

.165 / 4.19

.003 / 0.08

.058 / 1.47

.119 / 3.02

.149 / 3.78

.570 / 14.48

.810 / 20.57

.235 / 5.97

.185 / 4.70

.007 / 0.18

.068 / 1.73

.135 / 3.43

.187 / 4.75

35 W @ T_C= 25 ^OC

-65 ^OC to +200 ^OC

5.0 ^OC/W

T_STG

q_JC

ORDER CODE: ASI10530

CHARACTERISTICS T_C= 25 ^OC

SYMBOL

BV_CBO

NONETEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_C= 5 mA

I_C= 15 mA

I_E= 1 mA

V_CB= 28 V

V_CE= 5.0 V

BV_CER

BV_EBO

I_CBO

R_BE= 10 W

I_C= 1000 mA

P_OUT= 10 W

3.5

5.0

---

h_FE

120

C_ob

V_CB= 28 V

V_CC= 28 V

f = 1.0 MHz

f = 2.0 GHz

7.5

P_G

5.0

h_C

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

7525 ETHEL AVENUE · NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 · (818) 982-1200 · FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

REV. A

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