ASI30291

更新时间： 2024-11-14 22:35:59

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ASI		二极管变容二极管
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1页	16K
描述
SILICON HYPERABRUPT VARACTOR DIODE

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ASI30291 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	DO-7
包装说明：	O-LALF-W2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.76
最小击穿电压：	22 V	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管电容容差：	10%
最小二极管电容比：	5.4	标称二极管电容：	20 pF
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	VARIABLE CAPACITANCE DIODE
频带：	VERY HIGH FREQUENCY TO ULTRA HIGH FREQUENCY	JEDEC-95代码：	DO-7
JESD-30 代码：	O-LALF-W2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	GLASS
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
认证状态：	Not Qualified	最小质量因数：	150
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	变容二极管分类：	HYPERABRUPT
Base Number Matches：	1

ASI30291 数据手册

DKV6520-12

SILICON HYPERABRUPT VARACTOR DIODE

DESCRIPTION:

The ASI DKV6520-12 is an Silicon

Hyperabrupt Varactor Diode Designed

for VHF/UHF Filters and Oscillators

Requiring Octave Tuning.

FEATURES INCLUDE:

PACKAGE STYLE DO-7

• C_T4= 18 pF Min.

• C_T4/C_T20= 5.8 Typical

• Hermetic Glass Package

MAXIMUM RATINGS

100 mA

I_F

22 V

V_R

250 mW @T_C= 25 °C

-55 °C to +150 °C

-65 °C to +200 °C

+230 °C for 5 seconds

P_DISS

T_J

T_STG

T_SOLD

ORDER CODE: ASI30291

NONE

CHARACTERISTICS T_C= 25 °C

SYMBOL

V_BR

TEST CONDITIONS

MINIMUM

TYPICAL MAXIMUM

UNITS

I_R= 10 µA

I_R

V_R= 20 V

100

V_R= 4.0 V

V_R= 8.0 V

V_R= 20 V

f = 1.0 MHz

18.0

7.5

3.1

22.0

10.5

3.9

C_T

C_T4/C_T8

C_T4/C_T20

V_R= 4 & 8 V

V_R= 4 & 20 V

V_R= 4.5 V

f = 1.0 MHz

f = 50 MHz

1.8

5.4

150

2.7

6.6

---

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

1/1

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

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