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ASI2304

更新时间： 2024-11-13 22:33:51

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ASI		晶体晶体管射频
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1页	22K
描述
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

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ASI2304 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-CRFM-F2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.13
最大集电极电流 (IC)：	0.6 A	基于收集器的最大容量：	5 pF
集电极-发射极最大电压：	26 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	10	最高频带：	S BAND
JESD-30 代码：	O-CRFM-F2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	10.2 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	FLAT	端子位置：	RADIAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

ASI2304 数据手册

ASI2304

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION:

PACKAGE STYLE .250 2L FLG

The ASI 2304 is Designed for General

Purpose Class C Power Amplifier

Applications up tp 3000 MHz.

ØD

.060 x 45°

CHAMFER

FEATURES:

· P_G= 9.5 dB min. at 4 W / 2300 MHz

· Hermetic Microstrip Package

· Omnigold™ Metalization System

MINIMUM

inches / mm

MAXIMUM

inches / mm

DIM

.028 / 0.71

.740 / 18.80

.245 / 6.22

.128 / 3.25

.032 / 0.81

MAXIMUM RATINGS

.255 / 6.48

.132 / 3.35

600 mA

I_C

.125 / 3.18

.117 / 2.97

.110 / 2.79

.117 / 2.97

26 V

V_CC

P_DISS

T_J

.560 / 14.22

.790 / 20.07

.225 / 5.72

.165 / 4.19

.003 / 0.08

.058 / 1.47

.119 / 3.02

.149 / 3.78

.570 / 14.48

.810 / 20.57

.235 / 5.97

.185 / 4.70

.007 / 0.18

.068 / 1.73

.135 / 3.43

.187 / 4.75

11.5 W @ T_C£ 50 ^OC

-65 ^OC to +200 ^OC

13 ^OC/W

T_STG

q_JC

ORDER CODE: ASI10535

CHARACTERISTICS T_C= 25 ^OC

SYMBOL

BV_CBO

NONETEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_C= 1 mA

I_C= 5 mA

I_E= 1 mA

V_CB= 22 V

V_CE= 5.0 V

BV_CER

BV_EBO

I_CBO

R_BE= 10 W

I_C= 250 mA

P_OUT= 4.0 W

3.5

0.5

---

h_FE

300

C_ob

V_CB= 22 V

V_CC= 22 V

f = 1.0 MHz

f = 2.3 GHz

5.0

P_G

9.5

h_C

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

7525 ETHEL AVENUE · NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 · (818) 982-1200 · FAX (818) 765-3004

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Specifications are subject to change without notice.

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