MSC82306

更新时间： 2024-11-29 22:51:07

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体放大器射频双极晶体管微波局域网
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描述
RF & MICROWAVE TRANSISTORS GENERAL PURPOSE AMPLIFIER APPLICATIONS

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MSC82306 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-CRFM-F2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	外壳连接：	BASE
最大集电极电流 (IC)：	0.9 A	基于收集器的最大容量：	7 pF
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	30
最高频带：	S BAND	JESD-30 代码：	O-CRFM-F2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	16.7 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	FLAT
端子位置：	RADIAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

MSC82306 数据手册

MSC82306

RF & MICROWAVE TRANSISTORS

GENERAL PURPOSE AMPLIFIER APPLICATIONS

PRELIMINARY DATA

REFRACTORY\GOLD METALLIZATION

VSWR CAPABILITY 20:1 @ RATED

CONDITIONS

HERMETIC STRIPAC PACKAGE

P_OUT

5.5 W MIN. WITH 9.6 dB GAIN

.250 2LFL (S010)

hermetically sealed

ORDER CODE

MSC82306

BRANDING

82306

PIN CONNECTION

DESCRIPTION

The MSC82306 is a common base hermetically

sealed silicon NPN microwave power transistor

utilizing a rugged overaly diegeometry. This device

is capable of withstanding 20:1 load VSWR at

any phase angle under rated conditions.

The MSC82306 was designed for Class C Am-

plifier/Oscillator applications in the 1.5 - 2.3 GHz

frequency range.

1. Collector

2. Base

3. Emitter

4. Base

= 25 C)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T

case

Symbol

P_DISS

I_C

Parameter

Value

16.7

900

Unit

Power Dissipation*

Device Current*

(T_C≤ 50°C)

V_CC

T_J

Collector-Supply Voltage*

Junction Temperature

Storage Temperature

200

T_STG

− 65 to +200

THERMAL DATA

C/W

R_TH(j-c)

Junction-Case Thermal Resistance*

9.0

*Applies only to rated RF amplifier operation

1/4

October 1992

12 3 4

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