MSC83303

更新时间： 2024-11-29 22:51:07

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体放大器射频双极晶体管微波局域网
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描述
RF & MICROWAVE TRANSISTORS GENERAL PURPOSE AMPLIFIER APPLICATIONS

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MSC83303 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-CRFM-F2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
外壳连接：	BASE	最大集电极电流 (IC)：	0.54 A
基于收集器的最大容量：	5 pF	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	30	最高频带：	S BAND
JESD-30 代码：	O-CRFM-F2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	10 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	FLAT	端子位置：	RADIAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

MSC83303 数据手册

MSC83303

RF & MICROWAVE TRANSISTORS

GENERAL PURPOSE AMPLIFIER APPLICATIONS

REFRACTORY/GOLD METALLIZATION

EMITTER BALLASTED

VSWR CAPABILITY :1 @ RATED

∞

CONDITIONS

HERMETIC STRIPAC PACKAGE

P_OUT

@ 3.0 GHz

3.0 W MIN. WITH 7.0 dB GAIN

.250 2LFL (S010)

hermetically sealed

ORDER CODE

MSC83303

BRANDING

83303

PIN CONNECTION

DESCRIPTION

The MSC83303 is a common base hermetically

sealed silicon NPN microwave power transistor

utilizing an overlay, emitter site ballasted geome-

try with a refractory/gold metallization system.

This device is capable of withstanding an infinite

load VSWR at any phase angle under rated con-

ditions. The MSC83303 is designed for Class C

amplifier/oscillator applications in the 1.0 - 3.0

GHz frequency range.

1. Collector

2. Base

3. Emitter

4. Base

= 25 C)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T

case

Symbol

P_DISS

I_C

Parameter

Value

10.0

540

Unit

Power Dissipation*

Device Current*

(T_C≤ 50°C)

V_CC

T_J

Collector-Supply Voltage*

Junction Temperature

Storage Temperature

200

T_STG

− 65 to +200

THERMAL DATA

C/W

R_TH(j-c)

Junction-Case Thermal Resistance*

*Applies only to rated RF amplifier operation

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September 2, 1994

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