MSC85623

更新时间： 2024-11-29 21:53:39

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描述
NPN RF TRANSISTOR

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MSC85623 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-CRFM-F2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.65
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.15 A
集电极-发射极最大电压：	14 V	配置：	SINGLE
最高频带：	S BAND	JESD-30 代码：	O-CRFM-F2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	25 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	FLAT
端子位置：	RADIAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

MSC85623 数据手册

MSC85623

NPN RF TRANSISTOR

DESCRIPTION:

The ASI MSC85623 is a Silicon NPN

Microwave Transistor Supplied in a

Common Base Package, Designed for

RF Amplifier and Oscillator

PACKAGE 230 2L FLG

Applications up to 3.0 GHz.

MAXIMUM RATINGS

150 mA

14 V

I_C

V_CEO

V_CB

V_EB

P_DISS

T_J

40 V

3.5 V

25 W @ T_C= 25 ^OC

-65 ^OC to +200 ^OC

7.0 ^OC/W

1 = Collector

2 = Emitter

T_STG

θ_JC

3 = Base

TRANS1.SYM

CHARACTERISTICS T_C= 25 ^O

SYMBOL

BV_CEO

TEST CONDITIONS

MINIMUM

TYPICAL MAXIMUM

UNITS

I_C= 5.0 mA

I_E= 1.0 mA

V_CB= 21 V

BV_CER

BV_CBO

BV_EBO

I_CBO

R_BE= 510 Ω

3.5

2.0

5.5

P_G

V_CC= 28 V

P_out= 5.0 W

f = 3.0 GHz

η_C

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

1/1

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1202 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

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