MSASC25H45KR

更新时间： 2024-11-30 04:14:35

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美高森美 - MICROSEMI		整流二极管肖特基二极管
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描述
LOW VOLTAGE DROP SCHOTTKY DIODE

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MSASC25H45KR 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	HERMETIC SEALED, CERAMIC, THINKEY2, 1 PIN
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.51
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOW LEAKAGE CURRENT
应用：	GENERAL PURPOSE	外壳连接：	CATHODE
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	S-CSSO-G1
JESD-609代码：	e0	最大非重复峰值正向电流：	280 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	1	最大输出电流：	25 A
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	SQUARE
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	45 V
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

MSASC25H45KR 数据手册

2830 S. Fairview St.

Santa Ana, CA 92704

PH: (714) 979-8220

FAX: (714) 966-5256

1N6815

(MSASC25H45K)

1N6815R

Features

•

Tungsten/Platinum schottky barrier for very low VF

Oxide passivated structure for very low leakage currents

Guard ring protection for increased reverse energy capability

Epitaxial structure minimizes forward voltage drop

Hermetically sealed, low profile ceramic surface mount power package

Low package inductance

(MSASC25H45KR)

45 Volts

25 Amps

Very low thermal resistance

Available as standard polarity (strap is anode: 1N6815) and reverse

polarity (strap is cathode: 1N6815R)

LOW VOLTAGE

DROP SCHOTTKY

DIODE

•

TXV-level (MSASC25H45KV) or S-level (MSASC25H45KS) screening

i.a.w. Microsemi Internal Procedure PS11.50 available

Maximum Ratings @ 25 C (unless otherwise specified)

DESCRIPTION

SYMBOL

MAX.

UNIT

Peak Repetitive Reverse Voltage

Working Peak Reverse Voltage

DC Blocking Voltage

Average Rectified Forward Current, Tc≤ 145°C

derating, forward current, Tc≥ 145°C

Nonrepetitive Peak Surge Current, tp= 8.3 ms, half-sinewave

Peak Repetitive Reverse Surge Current, tp= 1µs, f= 1kHz

Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

(3.3)

Volts

Amps

Amps/°C

Amps

Amp

°C

V_RRM

V_RWM

V_R

I_F(ave)

dI_F/dT

I_FSM

I_RRM

T_j

T_stg

θ_JC

125

-55 to +150

Thermal Resistance, Junction to Case:

1N6815

1N6815R

1.25

1.35

°C/W

Mechanical Outline

ThinKey™2

Datasheet# MSC1458A August, 2000

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MSASC25H45KRS	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 25A, 45V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED,
MSASC25H45KRV	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 25A, 45V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED,
MSASC25H45KS	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 25A, 45V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED,
MSASC25H45KSR	MICROSEMI	获取价格	暂无描述
MSASC25H45KV	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 25A, 45V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED,
MSASC25H45KVR	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode,
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