MSASC25W100KV

更新时间： 2024-11-28 13:11:51

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美高森美 - MICROSEMI		肖特基二极管
页数	文件大小	规格书
2页	80K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 25A, 100V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, CERAMIC, THINKEY2, 1 PIN

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MSASC25W100KV 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	HERMETIC SEALED, CERAMIC, THINKEY2, 1 PIN
针数：	1	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.54	应用：	GENERAL PURPOSE
外壳连接：	ANODE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.725 V	JESD-30 代码：	S-CSSO-G1
JESD-609代码：	e0	最大非重复峰值正向电流：	120 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	1	最高工作温度：	175 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	25 A
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	SQUARE
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	100 V
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

MSASC25W100KV 数据手册

2830 S. Fairview St.

Santa Ana, CA 92704

PH: (714) 979-8220

FAX: (714) 966-5256

1N6817

MSASC25W100K)

1N6817R

(

Features

•

Tungsten schottky barrier

Oxide passivated structure

Guard ring protection for increased reverse energy capability

Epitaxial structure minimizes forward voltage drop

Hermetically sealed, low profile ceramic surface mount power package

Low package inductance

Very low thermal resistance

Available as standard polarity (strap is anode: 1N6817) and reverse

polarity (strap is cathode: 1N6817R)

TXV-level screening (MSASC25W100KV) or S-level (MSASC25W100KS)

screening i.a.w. Microsemi internal procedure PS11.50 available

(

MSASC25W100KR)

100 Volts

25 Amps

LOW REVERSE

LEAKAGE

SCHOTTKY DIODE

•

Maximum Ratings @ 25 C (unless otherwise specified)

DESCRIPTION

SYMBOL

MAX.

UNIT

Peak Repetitive Reverse Voltage

Working Peak Reverse Voltage

DC Blocking Voltage

Average Rectified Forward Current, Tc≤ 145°C

derating, forward current, Tc≥ 145°C

V_RRM

V_RWM

V_R

I_F(ave)

dI_F/dT

100

Volts

Amps

(3.3)

Amps/°C

120

-55 to +175

Amps

Amp

°C

°C/W

Nonrepetitive Peak Surge Current, tp= 8.3 ms, half-sinewave

Peak Repetitive Reverse Surge Current, tp= 1µs, f= 1kHz

Junction Temperature Range

I_FSM

I_RRM

T_j

T_stg

θ_JC

Storage Temperature Range

Thermal Resistance, Junction to Case:

1N6817

1N6817R

1.25

1.35

Mechanical Outline

ThinKey™2

Datasheet# MSC1034B August, 2000

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
MSASC25W100K	MICROSEMI	完全替代	LOW REVERSE LEAKAGE SCHOTTKY DIODE

与MSASC25W100KV相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MSASC25W45K	MICROSEMI	获取价格	LOW LEAKAGE SCHOTTKY DIODE
MSASC25W45KR	MICROSEMI	获取价格	LOW LEAKAGE SCHOTTKY DIODE
MSASC75H45F	MICROSEMI	获取价格	LOW VOLTAGE DROP SCHOTTKY DIODE
MSASC75H45FR	MICROSEMI	获取价格	LOW VOLTAGE DROP SCHOTTKY DIODE
MSASC75W100F	MICROSEMI	获取价格	LOW REVERSE LEAKAGE SCHOTTKY DIODE
MSASC75W100FR	MICROSEMI	获取价格	LOW REVERSE LEAKAGE SCHOTTKY DIODE
MSASC75W100FRE3	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 75A, 100V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED,
MSASC75W45F	MICROSEMI	获取价格	LOW LEAKAGE CURRENT SCHOTTKY DIODE
MSASC75W45FR	MICROSEMI	获取价格	LOW LEAKAGE CURRENT SCHOTTKY DIODE
MSASC75W45FRE3	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 75A, 45V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED,

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