MS1504

更新时间： 2024-11-01 22:45:59

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美高森美 - MICROSEMI		晶体射频双极晶体管微波放大器
页数	文件大小	规格书
4页	176K
描述
RF & MICROWAVE TRANSISTORS

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MS1504 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	POST/STUD MOUNT, O-PRPM-F4	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.13	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	8 A	基于收集器的最大容量：	95 pF
集电极-发射极最大电压：	18 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	20	最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	O-PRPM-F4	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	POST/STUD MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	70 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	FLAT
端子位置：	RADIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

MS1504 数据手册

MS1504

RF & MICROWAVE TRANSISTORS

R F P R O D U C T S D I V I S I O N

PRODUCT PREVIEW

DESCRIPTION

KEY FEATURES

The MS1504 is a 13.6 V Class C epitaxial silicon NPN planar

!"160 MHz

transistor designed primarily for VHF communications. The MS1504

utilizes an emitter ballasted die geometry to withstand severe load

mismatch conditions.

!"13.6 Volts

!"Common Emitter

_!"P

_OUT= 30 W Min.

_!"G

_P= 10.0 dB Gain

IMPORTANT:

For the most current data, consult MICROSEMI’s website: http://www.microsemi.com

APPLICATIONS/BENEFITS

!"VHF Mobile

Applications

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_CASE= 25°

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_CES

V_EBO

I_C

Parameter

Value

Unit

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Device Current

4.0

8.0

Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

°C

P_DISS

T_J

+200

-65 to +150

T_STG

THERMAL DATA

R_TH(j-c)

Junction-Case Thermal Resistance

1.2

°C/W

Microsemi

Page 1

MSC1504.PDF 2000-11-26

RF Products Division

140 Commerce Drive, Montgomeryville PA 18936, (215) 631-9840, Fax: (215) 631-9855

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