MS1509

更新时间： 2024-11-02 03:48:23

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描述
RF & MICROWAVE TRANSISTORS TV/LINEAR APPLICATIONS

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MS1509 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.65	Is Samacsys：	N
其他特性：	WITH EMITTER BALLASTING RESISTORS	最大集电极电流 (IC)：	15 A
集电极-发射极最大电压：	33 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	20	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-CDFM-F8	元件数量：	1
端子数量：	8	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	260 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

MS1509 数据手册

MS1509

RF & MICROWAVE TRANSISTORS

TV/LINEAR APPLICATIONS

Features

500 MHz

28 VOLTS

OUT = 100 WATTS

G_P= 5.5 dB GAIN MINIMUM

EFFICIENCY 55%

GOLD METALLIZATION

COMMON EMITTER CONFIGURATION

DESCRIPTION:

The MS1509 is a 28 V gold metallized, Class C epitaxial silicon

NPN planar transistor designed for UHF military and commercial

equipment. The MS1508 is an internally matched, broadband

device optimized for operation within the 100 – 500 MHz fre-

quency range. This device utilizes diffused emitter resistors

to achieve 5:1 VSWR load mismatch capability at rated

operating conditions.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tcase = 25°C)

Symbol

V_CBO

Parameter

Value

4.0

Unit

Collector-Base Voltage

V_CEO

V_CES

V_EBO

I_C

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Device Current

P_DISS

Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

260

+200

°C

T_STG

-65 to +150

Thermal Data

R_TH(J-C)

Thermal Resistance Junction-case

°C/W

0.67

MS1509.PDF 5-28-03

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