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MS1512

更新时间： 2024-11-18 03:48:23

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ADPOW		晶体晶体管电视射频微波
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3页	97K
描述
RF & MICROWAVE TRANSISTORS UHF TV/LINEAR APPLICATIONS

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MS1512 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	POST/STUD MOUNT, O-PRPM-F4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.64	其他特性：	HIGH RELIABILITY
最大集电极电流 (IC)：	1.2 A	基于收集器的最大容量：	7 pF
集电极-发射极最大电压：	25 V	配置：	SINGLE
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	O-PRPM-F4
元件数量：	1	端子数量：	4
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	POST/STUD MOUNT	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	FLAT	端子位置：	RADIAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

MS1512 数据手册

140 COMMERCE DRIVE

MONTGOMERYVILLE, PA

18936-1013

PHONE: (215) 631-9840

FAX: (215) 631-9855

MS1512

RF & MICROWAVE TRANSISTORS

UHF TV/LINEAR APPLICATIONS

Features

860 MHz

20 VOLTS

CLASS A LINEAR OPERATION

OUT = 1.0 WATT

G_P= 10.0 dB MINIMUM

COMMON EMITTER CONFIGURATION

DESCRIPTION:

The MS1512 is a silicon NPN bipolar transistor designed for

UHF linear applications, specifically TV Bands IV and V. The

MS1512 is characterized for high linearity, Class A operation.

Device ruggedness and reliability are maximized with emitter

ballasting and gold metallization.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tcase = 25°C)

Symbol

V_CBO

Parameter

Value

3.5

Unit

Collector-Base Voltage

V_CEO

V_EBO

I_C

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Device Current

1.2

P_DISS

Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

19.4

+200

°C

T_STG

-65 to +150

Thermal Data

R_TH(J-C)

Junction-case Thermal Resistance

9.0

°C/W

Advanced Power Technology reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein

Visit our website at WWW.ADVANCEDPOWER.COM or contact our factory direct.

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MS-151-C(BP)	HRS	获取价格	RF Connector, Male, Cable Mount, Plug, ROHS COMPLIANT