MS1508

更新时间： 2024-11-02 03:48:23

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ADPOW		晶体射频双极晶体管电视微波放大器局域网
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3页	115K
描述
RF & MICROWAVE TRANSISTORS TV/LINEAR APPLICATIONS

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MS1508 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.13	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	15 A	集电极-发射极最大电压：	33 V
配置：	SINGLE	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-CDFM-F8	元件数量：	1
端子数量：	8	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

MS1508 数据手册

MS1508

RF & MICROWAVE TRANSISTORS

TV/LINEAR APPLICATIONS

Features

•

400 MHz

28 VOLTS

G^O_P^UT=⁼7¹.0²⁵d^WB^AG^TA^TI^SN MINIMUM

EFFICIENCY 60%

GOLD METALLIZATION

COMMON EMITTER CONFIGURATION

DESCRIPTION:

The MS1508 is a 28 V Class C gold metallized epitaxial silicon

NPN planar transistor designed for UHF military and commercial

equipment. The MS1508 is an internally matched, broadband

device optimized for operation within the 225 – 400 MHz fre-

quency range. This device utlizies diffused emitter resistors

to achieve 10:1 VSWR load mismatch capability at rated

operating conditions.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tcase = 25°C)

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Value

Unit

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Device Current

4.0

270

+200

P_DISS

T_STG

Power Dissipation

°C

Junction Temperature

Storage Temperature

-65 to +150

0.65

°C

Thermal Data

R_TH(J-C)

Thermal Resistance Junction-case

°C/W

053-7089 Rev - 10-2002

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