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MS1506

更新时间： 2024-11-18 03:48:23

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ADPOW		晶体晶体管射频微波
页数	文件大小	规格书
3页	88K
描述
RF & MICROWAVE TRANSISTORS VHF MOBILE APPLICATIONS

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MS1506 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	POST/STUD MOUNT, O-PRPM-F4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.84	其他特性：	WITH EMITTER BALLASTING RESISTORS
最大集电极电流 (IC)：	8 A	集电极-发射极最大电压：	18 V
配置：	SINGLE	最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	O-PRPM-F4	元件数量：	1
端子数量：	4	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	POST/STUD MOUNT
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	FLAT
端子位置：	RADIAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON

MS1506 数据手册

140 COMMERCE DRIVE

MONTGOMERYVILLE, PA

18936-1013

PHONE: (215) 631-9840

FAX: (215) 631-9855

MS1506

RF & MICROWAVE TRANSISTORS

VHF MOBILE APPLICATIONS

Features

160 MHz

13.6 VOLTS

OUT = 40 WATTS

G_P= 9.0 dB MINIMUM

COMMON EMITTER CONFIGURATION

DESCRIPTION:

The MS1506 is a 13.6 volt Class C epitaxial silicon NPN planar

transistor designed primarily for VHF communications. The

MS1506 utilizes an emitter ballasted die geometry to withstand

severe load mismatch conditions.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tcase = 25°C)

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_CES

V_EBO

I_C

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Device Current

4.0

8.0

P_DISS

Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

°C

+200

T_STG

-65 to +150

Thermal Data

R_TH(J-C)

Junction-case Thermal Resistance

1.2

°C/W

Advanced Power Technology reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein

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