MRF5003

更新时间： 2025-08-19 10:47:27

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ASI		晶体射频场效应晶体管光电二极管放大器
页数	文件大小	规格书
2页	22K
描述
VHF POWER MOSFET

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MRF5003 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：	8	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.27
Is Samacsys：	N	外壳连接：	SOURCE
配置：	Single	最小漏源击穿电压：	36 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	8 A	最大漏极电流 (ID)：	8 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	60 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

MRF5003 数据手册

MRF5003

VHF POWER MOSFET

DESCRIPTION:

PACKAGE STYLE

The ASI MRF5003 is common source

device, designed for broadband

amplifier applications at frequencies to

520 MHz.

FEATURES:

• P_G= 9.5 dB @ 3.0 W 512 MHz

• Surface mount package

MAXIMUM RATINGS

8.0 A

36 V

I_D

V_DSS

V_GS

P_DISS

T_J

±20 V

60 W @ T_C= 25 ^OC

-65 ^OC to +150 ^OC

2.08 ^OC/W

T_STG

θ_JC

CHARACTERISTICS T_C= 25 °C

SYMBOL

TEST CONDITIONS

MINIMUM

TYPICAL MAXIMUM

UNITS

BV_DSS

I_D= 200 µA

I_DSS

I_GSS

V_GS

_DS= 7.5 V

_DS= 0 V

V_GS= 0 V

2.0

1.0

7.0

µA

V_GS= 30 V

V_GS= V_DS

V_GS= 5.0 V

V_GS= 20 V

I_D= 200 µA

_DS= 10 V

_DS= 8.0 A

V_DS= 10 V

1.0

1.7

0.40

Mho

Ω

R_SON

I_DSAT

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1202 • FAX (818) 765-3004

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Specifications are subject to change without notice.

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