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MRF517

更新时间： 2024-01-11 07:29:52

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美高森美 - MICROSEMI		射频微波
页数	文件大小	规格书
5页	318K
描述
RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS

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MRF517 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.62
最大集电极电流 (IC)：	0.15 A	基于收集器的最大容量：	4.5 pF
集电极-发射极最大电压：	20 V	配置：	SINGLE
最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND	JEDEC-95代码：	TO-39
JESD-30 代码：	O-MBCY-W3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
功耗环境最大值：	2.5 W	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	2700 MHz
Base Number Matches：	1

MRF517 数据手册

140 COMMERCE DRIVE

MONTGOMERYVILLE, PA

18936-1013

PHONE: (215) 631-9840

FAX: (215) 631-9855

MRF517

RF & MICROWAVE DISCRETE

LOW POWER TRANSISTORS

Features

Silicon NPN, To-39 packaged VHF/UHF Transistor

Gpe = 10 dB (typ) @ 60 mA, 300 MHz

1. Emitter

2. Base

3. Collector

3 GHz Current-Gain Bandwidth Product (min) @ 60mA

Broadband Noise Figure = 7.5 dB @ 50mA, 300 MHz

TO-39

DESCRIPTION:

Silicon NPN transistor, designed for VHF and UHF equipment. Applications include low noise broadband amplifier; pre-

driver, driver, and output stages.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tcase = 25°C)

Symbol

VCEO

VCBO

VEBO

Parameter

Value

Unit

Vdc

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

3.0

150

Thermal Data

2.5

0.02

Watts

mW/ ºC

Total Device Dissipation @ T = 25ºC

Derate above 25ºC

MSC1302.PDF 10-25-99

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MRF5174	ASI	获取价格	NPN RF POWER TRANSISTOR
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