是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.92 | Is Samacsys: | N |
最大集电极电流 (IC): | 0.4 A | 基于收集器的最大容量: | 4 pF |
集电极-发射极最大电压: | 40 V | 配置: | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE): | 10 | 最高频带: | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
JEDEC-95代码: | TO-39 | JESD-30 代码: | O-MBCY-W3 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 200 °C |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | CYLINDRICAL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | PNP | 功耗环境最大值: | 5 W |
最大功率耗散 (Abs): | 5 W | 最小功率增益 (Gp): | 8 dB |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | WIRE | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | AMPLIFIER |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称过渡频率 (fT): | 900 MHz |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MRF5160HXV | MOTOROLA |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.4A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic |
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MRF517 | MICROSEMI |
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RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS |
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MRF517 | ASI |
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NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
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MRF5174 | ASI |
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NPN RF POWER TRANSISTOR |
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MRF5175 | ASI |
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1NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR |
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MRF5176 | MOTOROLA |
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RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON |
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MRF5176 | ASI |
获取价格 |
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR |
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MRF5177 | MOTOROLA |
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30W, 400MHZ RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON |
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MRF5177A | MOTOROLA |
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30W, 400MHZ RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON |
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MRF521 | MOTOROLA |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 1-Element, S Band, Silicon, PNP |
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