MRF5160HX PDF预览

MRF5160HX

更新时间: 2025-09-15 14:53:55
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 102K
描述
UHF BAND, Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39

MRF5160HX 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
包装说明:CYLINDRICAL, O-MBCY-W3Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):0.4 A基于收集器的最大容量:4 pF
集电极-发射极最大电压:40 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):10最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JEDEC-95代码:TO-39JESD-30 代码:O-MBCY-W3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:200 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:PNP功耗环境最大值:5 W
最大功率耗散 (Abs):5 W最小功率增益 (Gp):8 dB
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:WIRE端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):900 MHz
Base Number Matches:1

MRF5160HX 数据手册

 浏览型号MRF5160HX的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MRF5160HX的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MRF5160HX的Datasheet PDF文件第4页 

与MRF5160HX相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MRF5160HXV MOTOROLA

获取价格

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.4A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic
MRF517 MICROSEMI

获取价格

RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS
MRF517 ASI

获取价格

NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
MRF5174 ASI

获取价格

NPN RF POWER TRANSISTOR
MRF5175 ASI

获取价格

1NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
MRF5176 MOTOROLA

获取价格

RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON
MRF5176 ASI

获取价格

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
MRF5177 MOTOROLA

获取价格

30W, 400MHZ RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON
MRF5177A MOTOROLA

获取价格

30W, 400MHZ RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON
MRF521 MOTOROLA

获取价格

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 1-Element, S Band, Silicon, PNP