MRF5174

更新时间： 2024-02-21 15:24:06

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ASI		晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管放大器
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描述
NPN RF POWER TRANSISTOR

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MRF5174 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.6
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	10
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	5 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	Base Number Matches：	1

MRF5174 数据手册

MRF5174

NPN RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION:

The MRF5174 is a Common Emitter

Device Designed for Class A, AB and

C Amplifier Applications in the 225 to

400 MHz Band.

PACKAGE STYLE .280 4L STUD

45°

FEATURES INCLUDE:

• High Gain

• Gold Metallization

• Emitter Ballasting

#8-32 UNC

MAXIMUM RATINGS

MINIMUM

inches / mm

MAXIMUM

inches / mm

0.5 A

DIM

I_C

1.010 / 25.65

.220 / 5.59

.270 / 6.86

.003 / 0.08

.117 / 2.97

1.055 / 26.80

.230 /5.84

.285 / 7.24

.007 / 0.18

.137 / 3.48

40 V

V_CBO

P_DISS

T_J

8.75 W @ T_C= 25 ^OC

-55 ^OC to +200 ^OC

20 ^OC/W

.572 / 14.53

.130 / 3.30

.245 / 6.22

.255 / 6.48

T_STG

θ_JC

.640 / 16.26

.175 / 4.45

.275 / 6.99

.217 / 5.51

.285 / 7.24

CHARACTERISTICS ^T_C= 25 ^O

SYMBOL

BV_CBO

TEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_C= 1.0 mA

I_E= 1.0 mA

V_CB= 28 V

V_CE= 5.0 V

BV_CEO

BV_EBO

I_CBO

3.5

500

120

µA

---

I_C= 100 mA

P_OUT= 2.0 W

h_FE

V_CB= 28 V

V_CE= 28 V

f = 1.0 MHz

f = 400 MHz

5.0

C_OB

P_G

η_C

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

1/1

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

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