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Datasheet > 晶体管 > 射频双极晶体管> MRF492
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MRF492

更新时间： 2024-02-29 09:13:30
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体射频双极晶体管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
4页 88K
描述
RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON

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MRF492 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.62
最大集电极电流 (IC)：20 A基于收集器的最大容量：450 pF
集电极-发射极最大电压：18 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：10最高频带：VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：O-CRPM-F4JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：4
最高工作温度：150 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：ROUND封装形式：POST/STUD MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：250 W最小功率增益 (Gp)：11 dB
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：FLAT端子位置：RADIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：50 MHz
Base Number Matches：1

MRF492 数据手册

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by MRF492/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
The RF Line  
Designed for 12.5 volt low band VHF large–signal power amplifier applica-  
tions in commercial and industrial FM equipment.  
•
Specified 12.5 V, 50 MHz Characteristics —  
Output Power = 70 W  
70 W, 50 MHz  
Minimum Gain = 11 dB  
Efficiency = 50%  
RF POWER  
TRANSISTOR  
NPN SILICON  
•
Load Mismatch Capability at High Line and RF Overdrive  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
18  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
36  
4.0  
20  
Collector Current — Continuous  
I
C
Total Device Dissipation @ T = 25°C (1)  
Derate above 25°C  
P
D
250  
1.43  
Watts  
W/°C  
C
CASE 211–11, STYLE 1  
Storage Temperature Range  
THERMAL CHARACTERISTICS  
T
stg  
–65 to +150  
°C  
Characteristic  
Thermal Resistance, Junction to Case (2)  
Symbol  
Max  
Unit  
R
0.7  
°C/W  
θJC  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted.)  
C
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector–Emitter Breakdown Voltage (I = 100 mAdc, I = 0)  
V
(BR)CEO  
18  
36  
4.0  
—
—
—
—
—
—
—
—
20  
Vdc  
Vdc  
C
B
Collector–Emitter Breakdown Voltage (I = 50 mAdc, V  
= 0)  
V
C
BE  
(BR)CES  
(BR)EBO  
Emitter–Base Breakdown Voltage (I = 10 mAdc, I = 0)  
V
Vdc  
E
C
Collector Cutoff Current (V  
CE  
= 13.6 Vdc, V  
= 0)  
I
mAdc  
BE  
CES  
ON CHARACTERISTICS  
DC Current Gain (I = 5.0 Adc, V  
CE  
= 5.0 Vdc)  
h
10  
—
—
150  
450  
—
C
FE  
DYNAMIC CHARACTERISTICS  
Output Capacitance (V  
CB  
= 15 Vdc, I = 0, f = 1.0 MHz)  
C
275  
pF  
E
ob  
FUNCTIONAL TESTS  
Common–Emitter Amplifier Power Gain  
G
11  
50  
13  
—
—
—
dB  
%
PE  
(V  
CC  
= 12.5 Vdc, P  
= 70 W, f = 50 MHz)  
out  
Collector Efficiency  
(V = 12.5 Vdc, P  
η
= 70 W, f = 50 MHz)  
CC  
NOTES:  
out  
1. These devices are designed for RF operation. The total device dissipation rating applies only when the devices are operated as RF  
amplifiers.  
2. Thermal Resistance is determined under specified RF operating conditions by infrared measurement techniques.  
Motorola, Inc. 1994  
1234

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