MRA0610-23

更新时间： 2024-01-15 01:51:07

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描述
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

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MRA0610-23 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.65	Is Samacsys：	N
其他特性：	DIFFUSED BALLAST RESISTORS	外壳连接：	BASE
最大集电极电流 (IC)：	3.5 A	基于收集器的最大容量：	21 pF
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	10
最高频带：	L BAND	JESD-30 代码：	R-CDFM-F2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	200 °C	最低工作温度：	-65 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

MRA0610-23 数据手册

MRA0610-23

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

PACKAGE STYLE .320 2L FLG

DESCRIPTION:

The MRA0610-23 is designed for

Class C, Common Base Wideband

Large Signal Amplifier Applications

from 600 MHz to 1.0 GHz, With

Internal Compensating Matching

Network and Diffused Ballast

Resistors.

MAXIMUM RATINGS

3.5 A ^(CONT)

50 V

I_C

V_CES

T_J

-65 °C to +200 °C

-65 °C to +150 °C

3.0 °C/W

T_STG

θ_JC

1= COLLECTOR 2= BASE 3= EMITTER

CHARACTERISTICS T_C= 25 ^OC

NONE

SYMBOL

BV_CES

TEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_C= 150 mA

I_E= 2.0 mA

3.5

BV_EBO

I_CBO

_CB= 28 V

_CE= 5.0 V

3.0

---

I_C= 750 mA

P_out= 23 W

100

h_FE

V_CB= 28 V

f = 1.0 MHz

C_ob

7.0

G_PB

V_CE= 28 V

f = 600 MHz & 1.0 GHz

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

1/1

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

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