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MRA1000-3.5L

更新时间： 2024-11-11 20:10:47
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA /
页数 文件大小 规格书
4页 78K
描述
RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN

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MRA1000-3.5L 技术参数

生命周期：ObsoleteReach Compliance Code：unknown
风险等级：5.82其他特性：DIFFUSED BALLAST RESISTORS
基于收集器的最大容量：15 pF集电极-发射极最大电压：28 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：20
最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码：O-CRPM-F4
元件数量：1端子数量：4
最高工作温度：200 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：ROUND封装形式：POST/STUD MOUNT
极性/信道类型：NPN功耗环境最大值：22 W
最小功率增益 (Gp)：10 dB认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：FLAT
端子位置：RADIAL晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

MRA1000-3.5L 数据手册

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by MRA1000–3.5L/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
The RF Line  
Designed primarily for wideband, large–signal output and driver amplifier  
stages to 1000 MHz.  
•
•
Designed for Class A Linear Power Amplifiers  
Specified 19 Volt, 1000 MHz Characteristics:  
Output Power — 3.5 Watts  
10 dB, 1000 MHz  
Power Gain — 10 dB, Small–Signal  
3.5 W  
BROADBAND  
UHF POWER TRANSISTOR  
•
•
•
Built–In Matching Network for Broadband Operation  
Gold Metallization for Improved Reliability  
Diffused Ballast Resistors  
CASE 145D–02, STYLE 1  
(.380 SOE)  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
28  
Unit  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
50  
3.5  
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
22  
0.125  
Watts  
W/°C  
C
Operating Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
THERMAL CHARACTERISTICS  
T
200  
°C  
°C  
J
T
stg  
–65 to +200  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
Thermal Resistance, Junction to Case (T = 70°C)  
R
8
°C/W  
C
θJC  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector–Emitter Breakdown Voltage (I = 10 mA, I = 0)  
V
28  
50  
50  
3.5  
–
–
–
–
–
–
–
–
Vdc  
Vdc  
C
B
(BR)CEO  
Collector–Emitter Breakdown Voltage (I = 10 mA, V  
= 0)  
V
C
BE  
(BR)CES  
(BR)CBO  
(BR)EBO  
Collector–Base Breakdown Voltage (I = 10 mA, I = 0)  
V
V
–
Vdc  
C
E
Emitter–Base Breakdown Voltage (I = 5 mA, I = 0)  
–
Vdc  
E
C
Collector Cutoff Current (V  
.
= 30 V, I = 0)  
I
CBO  
10  
mAdc  
(continued)  
CB  
E
REV 1  
Motorola, Inc. 1997  
1234

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