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MRA1000-14L PDF预览

MRA1000-14L

更新时间： 2024-09-09 21:21:15
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 51K
描述
RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN

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MRA1000-14L 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：POST/STUD MOUNT, O-CRPM-F4
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.84
基于收集器的最大容量：40 pF集电极-发射极最大电压：28 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：20
最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码：O-CRPM-F4
元件数量：1端子数量：4
最高工作温度：200 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：ROUND封装形式：POST/STUD MOUNT
极性/信道类型：NPN功耗环境最大值：83 W
最小功率增益 (Gp)：8 dB认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：FLAT
端子位置：RADIAL晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON

MRA1000-14L 数据手册

 浏览型号MRA1000-14L的Datasheet PDF文件第2页 
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by MRA1000–14L/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
The RF Line  
. . . designed primarily for wideband, large–signal output and driver amplifier  
stages to 1000 MHz.  
•
•
Designed for Class A Linear Power Amplifiers  
Specified 19 Volt, 1000 MHz Characteristics:  
Output Power — 14 Watts  
8.0 dB, TO 1000 MHz  
14 WATTS BROADBAND  
Power Gain — 8.0 dB, Small–Signal  
•
•
•
•
Built–In Matching Network for Broadband Operation  
Gold Metallization for Improved Reliability  
Diffused Ballast Resistors  
UHF POWER TRANSISTOR  
Circuit board photomaster available upon request by  
contacting RF Tactical Marketing in Phoenix, AZ.  
CASE 145D–02, STYLE 1  
(.380 SOE)  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
28  
Unit  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
50  
3.5  
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
83  
0.48  
Watts  
W/°C  
C
Operating Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
THERMAL CHARACTERISTICS  
T
200  
°C  
°C  
J
T
stg  
–65 to +150  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
Thermal Resistance, Junction to Case (T = 70°C)  
R
2.1  
°C/W  
C
θJC  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector–Emitter Breakdown Voltage (I = 25 mA, I = 0)  
V
28  
50  
50  
3.5  
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
20  
Vdc  
Vdc  
C
B
(BR)CEO  
Collector–Emitter Breakdown Voltage (I = 25 mA, V  
BE  
= 0)  
V
C
(BR)CES  
(BR)CBO  
(BR)EBO  
Collector–Base Breakdown Voltage (I = 25 mA, I = 0)  
V
V
Vdc  
C
E
Emitter–Base Breakdown Voltage (I = 5.0 mA, I = 0)  
Vdc  
E
C
Collector Cutoff Current (V  
CB  
= 19 V, I = 0)  
I
mAdc  
E
CBO  
ON CHARACTERISTICS  
DC Current Gain (I = 1.0 A, V  
CE  
= 5.0 V)  
h
FE  
20  
—
90  
—
C
(continued)  
REV 6  
Motorola, Inc. 1994  
12

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