MRA1014-35

更新时间： 2024-09-08 22:06:11

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描述
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

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MRA1014-35 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.13	Is Samacsys：	N
外壳连接：	BASE	最大集电极电流 (IC)：	5 A
基于收集器的最大容量：	24 pF	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	10	最高频带：	L BAND
JESD-30 代码：	R-CDFM-F2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

MRA1014-35 数据手册

MRA1014-35

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION:

PACKAGE STYLE .320 SQ 2L FLG

The ASI MRA1014-35 is Designed

for Class C, Common Base Wideband

Large Signal Amplifier Applications

From 1.0 GHz to 1.4 GHz.

FEATURES:

• Diffused Ballast Resistors.

• Internal Matching Network

• Omnigold™ Metalization System

MAXIMUM RATINGS

5.0 A ^(CONT)

50 V

I_C

V_CES

V_EBO

T_J

3.5 V

-65 °C to +200 °C

-65 °C to +150 °C

2.5 °C/W

T_STG

θ_JC

NONE

CHARACTERISTICS ^T_C= 25 °C

SYMBOL

BV_CES

TEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_C= 200 mA

I_E= 2.5 mA

3.5

BV_EBO

I_CBO

V_CB= 28 V

_CE= 5.0 V

5.0

---

I_C= 1.0 A

100

h_FE

V_CB= 28 V

f = 1.0 MHz

C_ob

7.0

G_PB

V_CE= 28 V

P_out= 35 W

f = 1.0 GHz & 1.4 GHz

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

1/1

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

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