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MPF910RLRM

更新时间： 2024-11-11 20:01:31

品牌	Logo	应用领域
安森美 - ONSEMI		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
34页	314K
描述
500mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92, PLASTIC, TO-226AE, 3 PIN

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MPF910RLRM 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-92	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.3	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	0.5 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	225
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

MPF910RLRM 数据手册

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

N–Channel — Enhancement

3 DRAIN

GATE

1 SOURCE

MAXIMUM RATINGS

Rating

Drain–Source Voltage

Symbol

Value

Unit

Vdc

CASE 29–05, STYLE 22

TO–92 (TO–226AE)

Gate–Source Voltage

— Continuous

±20

±40

Vdc

Vpk

— Non–repetitive (t ≤ 50 µs)

GSM

(1)

Drain Current – Continuous

0.5

1.0

Adc

(2)

– Pulsed

Total Device Dissipation @ T = 25°C

1.0

8.0

Watts

mW/°C

Derate above 25°C

MPF910

Total Device Dissipation @ T = 25°C

6.25

Watts

mW/°C

Derate above 25°C

MFE910

Operating and Storage Junction

Temperature Range

T , T

J stg

–65 to +150

°C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)

Characteristic

Symbol

Min

Typ

Max

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Zero–Gate–Voltage Drain Current

—

0.1

0.01

—

µAdc

nAdc

Vdc

DSS

= 40 V, V = 0)

Gate Reverse Current

(V = 10 V, V = 0)

GSS

GS DS

Drain–Source Breakdown Voltage

(V = 0, I = 100 µA)

(BR)DSS

ON CHARACTERISTICS

Gate Threshold Voltage

0.3

—

1.5

—

2.5

—

Vdc

GS(th)

= V

I = 1.0 mA)

GS, D

Drain–Source On–Voltage

(V = 10 V, I = 500 mA)

DS(on)

On–State Drain Current

(V = 25 V, V = 10 V)

500

100

D(on)

DS GS

Forward Transconductance

(V = 15 V, I = 500 mA)

—

mmhos

1. The Power Dissipation of the package may result in a lower continuous drain current.

2. Pulse Test: Pulse Width 300 µs, Duty Cycle 2.0%.

REV 1

Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data

4–87

12 3 4 5 6 7...34

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与MPF910RLRM相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MPF910RLRP	MOTOROLA	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
MPF910ZL1	ONSEMI	获取价格	500mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92, PLASTIC, TO-226AE, 3 PIN
MPF9200	MOTOROLA	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.4A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
MPF9200	ONSEMI	获取价格	MPF9200
MPF930	MOTOROLA	获取价格	TMOS Switching
MPF930	NJSEMI	获取价格	Trans MOSFET N-CH 35V 2A 3-Pin TO-92
MPF930A	ONSEMI	获取价格	2000mA, 35V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92, CASE 29-11, 3 PIN
MPF930ARLRE	ONSEMI	获取价格	2000mA, 35V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92, CASE 29-11, 3 PIN
MPF930RL	MOTOROLA	获取价格	暂无描述
MPF930RL1	ONSEMI	获取价格	2000mA, 35V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92, PLASTIC, TO-226AE, 3 PIN

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