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MPF910ZL1 PDF预览

MPF910ZL1

更新时间： 2024-11-11 20:01:31
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
34页 314K
描述
500mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92, PLASTIC, TO-226AE, 3 PIN

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MPF910ZL1 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-92包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.29其他特性：EUROPEAN PART NUMBER
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (ID)：0.5 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：225极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：TIN LEAD端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

MPF910ZL1 数据手册

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SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
N–Channel — Enhancement  
3 DRAIN  
2
GATE  
1 SOURCE  
1
MAXIMUM RATINGS  
2
3
Rating  
Drain–Source Voltage  
Symbol  
Value  
Unit  
V
DS  
60  
Vdc  
CASE 29–05, STYLE 22  
TO–92 (TO–226AE)  
Gate–Source Voltage  
— Continuous  
V
±20  
±40  
Vdc  
Vpk  
GS  
— Non–repetitive (t ≤ 50 µs)  
V
GSM  
p
(1)  
Drain Current – Continuous  
I
0.5  
1.0  
Adc  
D
(2)  
– Pulsed  
I
DM  
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
P
P
1.0  
8.0  
Watts  
mW/°C  
A
D
Derate above 25°C  
MPF910  
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
6.25  
50  
Watts  
mW/°C  
C
D
Derate above 25°C  
MFE910  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
J stg  
–65 to +150  
°C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Zero–Gate–Voltage Drain Current  
I
—
—
60  
0.1  
0.01  
90  
10  
10  
—
µAdc  
nAdc  
Vdc  
DSS  
(V  
DS  
= 40 V, V = 0)  
GS  
Gate Reverse Current  
(V = 10 V, V = 0)  
I
GSS  
GS DS  
Drain–Source Breakdown Voltage  
(V = 0, I = 100 µA)  
V
(BR)DSS  
GS  
D
ON CHARACTERISTICS  
Gate Threshold Voltage  
V
0.3  
—
1.5  
—
—
—
2.5  
2.5  
—
Vdc  
Vdc  
GS(th)  
(V  
DS  
= V  
I = 1.0 mA)  
GS, D  
Drain–Source On–Voltage  
(V = 10 V, I = 500 mA)  
V
DS(on)  
GS  
On–State Drain Current  
(V = 25 V, V = 10 V)  
D
I
500  
100  
mA  
D(on)  
DS GS  
Forward Transconductance  
(V = 15 V, I = 500 mA)  
g
fs  
—
mmhos  
DS  
1. The Power Dissipation of the package may result in a lower continuous drain current.  
2. Pulse Test: Pulse Width 300 µs, Duty Cycle 2.0%.  
D
REV 1  
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data  
4–87  
1234567...34

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与MPF910ZL1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MPF9200 MOTOROLA

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.4A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
MPF9200 ONSEMI

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 		MPF9200
MPF930 MOTOROLA

获取价格

 		TMOS Switching
MPF930 NJSEMI

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 		Trans MOSFET N-CH 35V 2A 3-Pin TO-92
MPF930A ONSEMI

获取价格

 		2000mA, 35V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92, CASE 29-11, 3 PIN
MPF930ARLRE ONSEMI

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 		2000mA, 35V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92, CASE 29-11, 3 PIN
MPF930RL MOTOROLA

获取价格

 		暂无描述
MPF930RL1 ONSEMI

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MPF930RLRA ONSEMI

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