MPF930

更新时间： 2024-11-10 22:26:39

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摩托罗拉 - MOTOROLA		晶体小信号场效应晶体管开关
页数	文件大小	规格书
4页	88K
描述
TMOS Switching

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MPF930 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.12	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	35 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2 A
最大漏极电流 (ID)：	2 A	最大漏源导通电阻：	1.4 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	18 pF
JEDEC-95代码：	TO-226AE	JESD-30 代码：	O-PBCY-W3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

MPF930 数据手册

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by MPF930/D

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

N–Channel — Enhancement

3 DRAIN

GATE

1 SOURCE

MAXIMUM RATINGS

Rating

Drain–Source Voltage

Drain–Gate Voltage

Symbol

MPF930

MPF960

MPF990

Unit

Vdc

Gate–Source Voltage

— Continuous

— Non–repetitive (t ≤ 50 µs)

±20

±40

Vdc

Vpk

CASE 29–05, STYLE 22

TO–92 (TO–226AE)

GSM

Drain Current

Adc

(1)

Continuous

(2)

2.0

3.0

Pulsed

Total Device Dissipation

@ T = 25°C

1.0

8.0

Watts

mW/°C

Derate above 25°C

Operating and Storage Junction

Temperature Range

T , T

J stg

–55 to 150

°C

Thermal Resistance

125

°C/W

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)

Characteristic

Symbol

Min

Typ

Max

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Drain–Source Breakdown Voltage

Vdc

(BR)DSX

= 0, I = 10 µAdc)

MPF930

MPF960

MPF990

—

Gate Reverse Current (V

= 15 Vdc, V

= 0)

—

nAdc

GSS

(2)

ON CHARACTERISTICS

Zero–Gate–Voltage Drain Current

(V = Maximum Rating, V

—

µAdc

Vdc

DSS

= 0)

DS GS

Gate Threshold Voltage

(I = 1.0 mAdc, V

1.0

3.5

GS(Th)

= V

)

Drain–Source On–Voltage (V

(I = 0.5 Adc)

= 10 Vdc)

Vdc

DS(on)

MPF930

MPF960

MPF990

—

0.4

0.6

0.7

0.8

1.2

(I = 1.0 Adc)

MPF930

MPF960

MPF990

—

0.9

1.2

1.4

1.7

2.4

(I = 2.0 Adc)

MPF930

MPF960

MPF990

—

2.2

2.8

3.0

3.5

4.8

1. The Power Dissipation of the package may result in a lower continuous drain current.

2. Pulse Test: Pulse Width

300 µs, Duty Cycle

2.0%.

REV 2

M_Mot_oo_tor_ro_ol_la_a,S_Inm_c.a₁₉ll₉–₇Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MPF930A	ONSEMI	获取价格	2000mA, 35V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92, CASE 29-11, 3 PIN
MPF930ARLRE	ONSEMI	获取价格	2000mA, 35V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92, CASE 29-11, 3 PIN
MPF930RL	MOTOROLA	获取价格	暂无描述
MPF930RL1	ONSEMI	获取价格	2000mA, 35V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92, PLASTIC, TO-226AE, 3 PIN
MPF930RL1	MOTOROLA	获取价格	2000mA, 35V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92
MPF930RLRA	ONSEMI	获取价格	2000mA, 35V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92, PLASTIC, TO-226AE, 3 PIN
MPF930RLRB	MOTOROLA	获取价格	2000mA, 35V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92
MPF930RLRE	MOTOROLA	获取价格	2000mA, 35V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92
MPF930RLRF	MOTOROLA	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 35V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
MPF930RLRM	ONSEMI	获取价格	2000mA, 35V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92, PLASTIC, TO-226AE, 3 PIN

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