MPF960RLRA

更新时间： 2024-09-14 13:11:51

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摩托罗拉 - MOTOROLA		/
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4页	88K
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2000mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92

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MPF960RLRA 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.14
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	2 A
最大漏源导通电阻：	1.7 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

MPF960RLRA 数据手册

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by MPF930/D

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

N–Channel — Enhancement

3 DRAIN

GATE

1 SOURCE

MAXIMUM RATINGS

Rating

Drain–Source Voltage

Drain–Gate Voltage

Symbol

MPF930

MPF960

MPF990

Unit

Vdc

Gate–Source Voltage

— Continuous

— Non–repetitive (t ≤ 50 µs)

±20

±40

Vdc

Vpk

CASE 29–05, STYLE 22

TO–92 (TO–226AE)

GSM

Drain Current

Adc

(1)

Continuous

(2)

2.0

3.0

Pulsed

Total Device Dissipation

@ T = 25°C

1.0

8.0

Watts

mW/°C

Derate above 25°C

Operating and Storage Junction

Temperature Range

T , T

J stg

–55 to 150

°C

Thermal Resistance

125

°C/W

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)

Characteristic

Symbol

Min

Typ

Max

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Drain–Source Breakdown Voltage

Vdc

(BR)DSX

= 0, I = 10 µAdc)

MPF930

MPF960

MPF990

—

Gate Reverse Current (V

= 15 Vdc, V

= 0)

—

nAdc

GSS

(2)

ON CHARACTERISTICS

Zero–Gate–Voltage Drain Current

(V = Maximum Rating, V

—

µAdc

Vdc

DSS

= 0)

DS GS

Gate Threshold Voltage

(I = 1.0 mAdc, V

1.0

3.5

GS(Th)

= V

)

Drain–Source On–Voltage (V

(I = 0.5 Adc)

= 10 Vdc)

Vdc

DS(on)

MPF930

MPF960

MPF990

—

0.4

0.6

0.7

0.8

1.2

(I = 1.0 Adc)

MPF930

MPF960

MPF990

—

0.9

1.2

1.4

1.7

2.4

(I = 2.0 Adc)

MPF930

MPF960

MPF990

—

2.2

2.8

3.0

3.5

4.8

1. The Power Dissipation of the package may result in a lower continuous drain current.

2. Pulse Test: Pulse Width

300 µs, Duty Cycle

2.0%.

REV 2

M_Mot_oo_tor_ro_ol_la_a,S_Inm_c.a₁₉ll₉–₇Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MPF960RLRE	ONSEMI	获取价格	TRANSISTOR 2000 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92, PLASTIC, TO-226AE, 3
MPF960RLRE	MOTOROLA	获取价格	2000mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92
MPF960RLRF	MOTOROLA	获取价格	2000mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92
MPF960RLRM	MOTOROLA	获取价格	2000mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92
MPF960RLRM	ONSEMI	获取价格	2000mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92, PLASTIC, TO-226AE, 3 PIN
MPF960RLRP	MOTOROLA	获取价格	2000mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92
MPF960ZL1	ONSEMI	获取价格	2000mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92, PLASTIC, TO-226AE, 3 PIN
MPF960ZL1	MOTOROLA	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
MPF970	MOTOROLA	获取价格	25V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92
MPF970RL	MOTOROLA	获取价格	25V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92

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