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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | QFP |
| 包装说明： | QFP, | 针数： | 64 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8542.31.00.01 |
| 风险等级： | 5.84 | 具有ADC： | YES |
| 其他特性： | 256 BYTES RAM | 位大小： | 8 |
| JESD-30 代码： | S-PQFP-G64 | 长度： | 12 mm |
| I/O 线路数量： | 45 | 端子数量： | 64 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | QFP |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | FLATPACK |
| 认证状态： | Not Qualified | ROM可编程性： | OTPROM |
| 座面最大高度： | 3.2 mm | 最大供电电压： | 5.5 V |
| 最小供电电压： | 4.5 V | 标称供电电压： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.65 mm |
| 端子位置： | QUAD | 宽度： | 12 mm |
| uPs/uCs/外围集成电路类型： | MICROCONTROLLER | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MN18R1624DF0-CM8 | SAMSUNG |
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Rambus DRAM Module, 64MX18, CMOS |
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| MN18R1624DF0-CT9 | SAMSUNG |
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Rambus DRAM Module, 64MX18, CMOS |
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| MN18R1624EF0-CM8 | SAMSUNG |
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Rambus DRAM Module, 64MX18, CMOS |
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| MN18R1624EF0-CT9 | SAMSUNG |
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Rambus DRAM Module, 64MX18, CMOS |
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| MN18R1628DF0-CM8 | SAMSUNG |
获取价格 |
Rambus DRAM Module, 128MX18, CMOS |
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| MN18R1628DF0-CT9 | SAMSUNG |
获取价格 |
Rambus DRAM Module, 128MX18, CMOS |
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| MN18R1628EF0-CM8 | SAMSUNG |
获取价格 |
Rambus DRAM Module, 128MX18, CMOS |
|
| MN18R1628EF0-CT9 | SAMSUNG |
获取价格 |
Rambus DRAM Module, 128MX18, CMOS |
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| MN18R3268AF0-CM8 | SAMSUNG |
获取价格 |
Rambus DRAM Module, 256MX18, CMOS |
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| MN18R3268AF0-CT9 | SAMSUNG |
获取价格 |
暂无描述 |
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