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MN18R1628EF0-CT9

更新时间: 2024-11-08 19:24:19
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
16页 516K
描述
Rambus DRAM Module, 128MX18, CMOS

MN18R1628EF0-CT9 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:,
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.36风险等级:5.82
访问模式:BLOCK ORIENTED PROTOCOL其他特性:SELF CONTAINED REFRESH
JESD-30 代码:R-XXMA-X200内存密度:2415919104 bit
内存集成电路类型:RAMBUS DRAM MODULE内存宽度:18
功能数量:1端口数量:1
端子数量:200字数:134217728 words
字数代码:128000000工作模式:SYNCHRONOUS
组织:128MX18封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态:Not Qualified自我刷新:YES
最大供电电压 (Vsup):2.63 V最小供电电压 (Vsup):2.37 V
标称供电电压 (Vsup):2.5 V表面贴装:NO
技术:CMOS端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UNSPECIFIEDBase Number Matches:1

MN18R1628EF0-CT9 数据手册

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MN18R1624(8)EF0  
MP18R1624(8)EF0  
Revision History  
Version 0.1 (February 2004) -Preliminary  
- First Copy  
- Based on the 1.2 ver. (Dec. 2003) 288Mbit D-die NexModModule Datasheet.  
Version 1.0 (May 2004)  
- Eliminate "Preliminary"  
Version 1.0 May 2004  

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