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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.36 | 风险等级： | 5.84 |
| 访问模式： | BLOCK ORIENTED PROTOCOL | 其他特性： | SELF CONTAINED REFRESH |
| JESD-30 代码： | R-XXMA-X200 | 内存密度： | 1207959552 bit |
| 内存集成电路类型： | RAMBUS DRAM MODULE | 内存宽度： | 18 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 200 | 字数： | 67108864 words |
| 字数代码： | 64000000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 组织： | 64MX18 | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 认证状态： | Not Qualified | 自我刷新： | YES |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 2.63 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2.37 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 2.5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UNSPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MN18R1624DF0-CT9 | SAMSUNG |
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Rambus DRAM Module, 64MX18, CMOS |
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| MN18R1624EF0-CM8 | SAMSUNG |
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Rambus DRAM Module, 64MX18, CMOS |
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| MN18R1624EF0-CT9 | SAMSUNG |
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Rambus DRAM Module, 64MX18, CMOS |
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| MN18R1628DF0-CM8 | SAMSUNG |
获取价格 |
Rambus DRAM Module, 128MX18, CMOS |
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| MN18R1628DF0-CT9 | SAMSUNG |
获取价格 |
Rambus DRAM Module, 128MX18, CMOS |
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| MN18R1628EF0-CM8 | SAMSUNG |
获取价格 |
Rambus DRAM Module, 128MX18, CMOS |
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| MN18R1628EF0-CT9 | SAMSUNG |
获取价格 |
Rambus DRAM Module, 128MX18, CMOS |
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| MN18R3268AF0-CM8 | SAMSUNG |
获取价格 |
Rambus DRAM Module, 256MX18, CMOS |
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| MN18R3268AF0-CT9 | SAMSUNG |
获取价格 |
暂无描述 |
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| MN18S3S2W30 | NKK |
获取价格 |
SWITCH TOGGLE SPDT 6A 125V |
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