生命周期: | Obsolete | 包装说明: | , |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.36 | 风险等级: | 5.84 |
访问模式: | BLOCK ORIENTED PROTOCOL | 其他特性: | SELF CONTAINED REFRESH |
JESD-30 代码: | R-XXMA-X200 | 内存密度: | 1207959552 bit |
内存集成电路类型: | RAMBUS DRAM MODULE | 内存宽度: | 18 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 200 | 字数: | 67108864 words |
字数代码: | 64000000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
组织: | 64MX18 | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
认证状态: | Not Qualified | 自我刷新: | YES |
最大供电电压 (Vsup): | 2.63 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2.37 V |
标称供电电压 (Vsup): | 2.5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 端子形式: | UNSPECIFIED |
端子位置: | UNSPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MN18R1624EF0-CT9 | SAMSUNG |
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Rambus DRAM Module, 64MX18, CMOS | |
MN18R1628DF0-CM8 | SAMSUNG |
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Rambus DRAM Module, 128MX18, CMOS | |
MN18R1628DF0-CT9 | SAMSUNG |
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Rambus DRAM Module, 128MX18, CMOS | |
MN18R1628EF0-CM8 | SAMSUNG |
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Rambus DRAM Module, 128MX18, CMOS | |
MN18R1628EF0-CT9 | SAMSUNG |
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Rambus DRAM Module, 128MX18, CMOS | |
MN18R3268AF0-CM8 | SAMSUNG |
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Rambus DRAM Module, 256MX18, CMOS | |
MN18R3268AF0-CT9 | SAMSUNG |
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暂无描述 | |
MN18S3S2W30 | NKK |
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SWITCH TOGGLE SPDT 6A 125V | |
MN18SD3G01 | NKK |
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SWITCH TOGGLE SPDT 0.4VA 28V | |
MN18SD3G01-BC | NKK |
获取价格 |
SWITCH TOGGLE SPDT 0.4VA 28V |