是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Not Recommended |
包装说明: | R-PDSO-G3 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.50 |
风险等级: | 7.9 | 其他特性: | HIGH RELIABILITY |
最大击穿电压: | 34.65 V | 最小击穿电压: | 31.35 V |
配置: | COMMON ANODE, 2 ELEMENTS | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 |
湿度敏感等级: | 1 | 最大非重复峰值反向功率耗散: | 40 W |
元件数量: | 2 | 端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性: | UNIDIRECTIONAL |
最大功率耗散: | 0.225 W | 参考标准: | AEC-Q101; IEC-61000-4-2 |
最大重复峰值反向电压: | 26 V | 表面贴装: | YES |
技术: | AVALANCHE | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MMBZ33VAL-Q | NEXPERIA |
获取价格 |
Low capacitance unidirectional double ESD protection diodeProduction | |
MMBZ33VALQ-7-F | DIODES |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 40W, 26V V(RWM), Unidirectional, 2 Element, Silicon, GREEN | |
MMBZ33VALT1 | ONSEMI |
获取价格 |
24 and 40 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors | |
MMBZ33VALT116 | ROHM |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 40W, 26V V(RWM), Unidirectional, 2 Element, Silicon, | |
MMBZ33VALT1G | ONSEMI |
获取价格 |
24 and 40 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors | |
MMBZ33VALT3 | ONSEMI |
获取价格 |
24 and 40 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors | |
MMBZ33VALT3G | ONSEMI |
获取价格 |
24 and 40 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors | |
MMBZ33VALY | ROHM |
获取价格 |
MMBZ33VALY是以高抗浪涌性为特点的瞬态抑制二极管,适合电子元器件的ESD保护。 | |
MMBZ33VALYFH | ROHM |
获取价格 |
MMBZ33VALYFH是以高抗浪涌性为特点的瞬态抑制二极管,适合电子元器件的ESD保护。 | |
MMBZ33VA-T | NEXPERIA |
获取价格 |
Low capacitance unidirectional double ESD protection diodeProduction |