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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | R-PDSO-G3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.50 |
| 风险等级： | 5.55 | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
| JEDEC-95代码： | TO-236AB | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性： | UNIDIRECTIONAL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 技术： | AVALANCHE |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MMBZ33VCL,215 | NXP |
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MMBZxVCL; MMBZxVDL series - Double ESD protection diodes for transient overvoltage suppres |
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| MMBZ33VCL/DG | NXP |
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Double ESD protection diodes for transient overvoltage suppression |
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| MMBZ33VCL/DG,215 | NXP |
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TVS DIODE |
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| MMBZ33VCLDG | NXP |
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Double ESD protection diodes for transient overvoltage suppression |
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| MMBZ33VCT-Q | NEXPERIA |
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Low capacitance unidirectional double ESD protection diodeProduction |
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| MMBZ33VDG | NXP |
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Double ESD protection diodes for transient overvoltage suppression |
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| MMBZ36VALY | ROHM |
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MMBZ36VALY是以高抗浪涌性为特点的瞬态抑制二极管，适合电子元器件的ESD保护。 |
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| MMBZ36VALYFH | ROHM |
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MMBZ36VALYFH是以高抗浪涌性为特点的瞬态抑制二极管，适合电子元器件的ESD保护。 |
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| MMBZ39VCLT1G | ONSEMI |
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Zener Diode Protection, Common Cathode, 40 Watt Peak Power, SOT-23 |
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| MMBZ39VCLT3G | ONSEMI |
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Zener Diode Protection, Common Cathode, 40 Watt Peak Power, SOT-23 |
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