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MMBT945-H-TP

更新时间： 2024-11-06 20:45:11

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美微科 - MCC		光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	283K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC PACKAGE-3

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MMBT945-H-TP 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.71
最大集电极电流 (IC)：	0.15 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	200
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	150 MHz	Base Number Matches：	1

MMBT945-H-TP 数据手册

M C C

MMBT945-L

MMBT945-H

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

Micro Commercial Components

Features

Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"

•

Capable of 0.2Watts of Power Dissipation.

Collector-current 0.15A

NPN Silicon

Plastic-Encapsulate

Transistor

Collector-base Voltage 60V

Operating and storage junction temperature range: -55^OC to +150^OC

Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates

RoHS Compliant. See ordering information)

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

Moisure Sensitivity Level 1

SOT-23

Marking: CR

Electrical Characteristics @ 25^OC Unless Otherwise Specified

Symbol

Parameter

Min

Max

Units

OFF CHARACTERISTICS

V _(BR)CEO

V _(BR)CBO

V _(BR)EBO

I_CBO

Collector-Emitter Breakdown Voltage

(I _C=1mAdc, I_B=0)

Collector-Base Breakdown Voltage

(I _C=100uAdc, I_E=0)

Emitter-Base Breakdown Voltage

(I _E=100uAdc, I_C=0)

Vdc

5.0

Vdc

Collector Cutoff Current

0.1

uAdc

(V _CB=60Vdc, I =0Adc)

Collector Cutoff Current

CER

(V _CE=55Vdc,R=10M OHM)

I_EBO

Emitter Cutoff Current

DIMENSIONS

(V _EB=5.0Vdc, I =0Adc)

INCHES

MIN

ON CHARACTERISTICS

DIM

MAX

MIN

2.80

2.10

1.20

.89

1.78

.45

.013

.89

MAX

NOTE

h _FE(1)

h _FE(2)

V _CE(sat)

V _BE(sat)

C_ob

DC Current Gain

.110

.083

.047

.035

.070

.018

.0005

.035

.003

.015

.120

.104

.055

.041

.081

.024

.0039

.044

.007

.020

3.04

2.64

1.40

1.03

2.05

.60

.100

1.12

.180

.51

(I =1.0mAdc, V_CE=6.0Vdc)

130

400

DC Current Gain

(I _C=0.1mAdc, V_CE=6.0Vdc)

Collector-Emitter Saturation Voltage

(I _C=100mAdc, I_B=10mAdc)

Base-Emitter Saturation Voltage

(I _C=100mAdc, I_B=10mAdc)

Collector output capacitance

0.3

1.0

3.0

Vdc

.085

.37

Suggested Solder

Pad Layout

.031

.800

(

_CB=10V, I _E=0 ,f=1MHz )

SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS

f _T

Transistor Frequency

(I =10mAdc, V_CE=6.0Vdc, f=30MHz)

150

MHz

.035

.900

CLASSIFICATION OF HFE (1)

Rank

Range

.079

2.000

inches

130-200

200-400

.037

.950

.037

.950

www.mccsemi.com

1 of 2

Revision: B

2013/01/01

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MMBT945-H-TP-HF	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor,
MMBT945-K-AE3-R	UTC	获取价格	Transistor
MMBT945-K-AL3-R	UTC	获取价格	Transistor
MMBT945-L	MCC	获取价格	NPN Silicon Plastic-Encapsulate Transistor
MMBT945L-K-AE3-R	UTC	获取价格	Transistor
MMBT945L-P-AE3-R	UTC	获取价格	Transistor
MMBT945L-P-AL3-R	UTC	获取价格	暂无描述
MMBT945L-Q-AE3-R	UTC	获取价格	Transistor
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