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MMBT918W

更新时间： 2024-09-16 10:52:27

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强茂 - PANJIT		晶体晶体管光电二极管
页数	文件大小	规格书
3页	90K
描述
VHF/UHF NPN SILICON TRANSISTOR

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MMBT918W 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.63	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.05 A	基于收集器的最大容量：	3 pF
集电极-发射极最大电压：	15 V	配置：	SINGLE
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	600 MHz
Base Number Matches：	1

MMBT918W 数据手册

MMBT918W

VHF/UHF NPN SILICON TRANSISTOR

Unit: inch (mm)

SOT-323

225 mWatts

15 Volts

POWER

VOLTAGE

FEATURES

• NPN silicon

• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives

.087(2.2)

.070(1.8)

.054(1.35)

.045(1.15)

MECHANICALDATA

• Case: SOT-323, Plastic

• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026

• Approx. Weight: 5 mg

.006(.15)

.002(.05)

.056(1.40)

.047(1.20)

• Marking: R1B

.004(.10)MAX.

.016(.40)

.008(.20)

ABSOLUTE RATINGS

PARAMETER

Symbol

Value

Units

Collector - Emitter Voltage

CEO

3.0

Collector - Base Voltage

Emitter - Base Voltage

CBO

EBO

Collector Current - Continuous

THERMALCHARACTERISTICS

PARAMETER

Symbol

P_D

Value

Units

Total Device Dissipation (Note1)T_A=25^OC

Derate above 25^OC

225

1.8

mW/^OC

Thermal Resistance , Junction to Ambient

Junction and Storage Temperature

R_θJA

556

^OC/W

^OC

T_J,T_{S TG}

-55 to 150

Note 1: FR.4 = 70 x 60 x 1mm.

REV.0.1-FEB.27.2009

PAGE . 1

12 3

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与MMBT918W相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MMBT945	UTC	获取价格	AUDIO FREQUENCY AMPLIFIER HIGH FREQUENCY OSC NPN TRANSISTOR
MMBT945G-K-AE3-R	UTC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, HALOGE
MMBT945G-P-AE3-R	UTC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, HALOGE
MMBT945G-P-AL3-R	UTC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, HALOGE
MMBT945G-R-AL3-R	UTC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, HALOGE
MMBT945G-X-AE3-R	UTC	获取价格	AUDIO FREQUENCY AMPLIFIER HIGH FREQUENCY OSC NPN TRANSISTOR
MMBT945G-X-AL3-R	UTC	获取价格	AUDIO FREQUENCY AMPLIFIER HIGH FREQUENCY OSC NPN TRANSISTOR
MMBT945-H	MCC	获取价格	NPN Silicon Plastic-Encapsulate Transistor
MMBT945-H-TP	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTI
MMBT945-H-TP-HF	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor,