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MMBT6428 PDF预览

MMBT6428

更新时间： 2024-09-26 04:39:27
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 放大器
页数 文件大小 规格书
4页 48K
描述
NPN General Purpose Amplifier

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MMBT6428 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：SOT-23
包装说明：SOT-23, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：3.17
最大集电极电流 (IC)：0.5 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：250
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.35 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
Base Number Matches：1

MMBT6428 数据手册

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MMBT6428  
NPN General Purpose Amplifier  
3
•
This device designed for general pupose amplifier applications at  
collector currents to 300mA  
•
Sourced from process 10.  
2
SOT-23  
Mark: 1K  
1
1. Base 2. Emitter 3. Collector  
Absolute Maximum Ratings* T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
50  
Units  
V
V
V
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Collector Current  
CEO  
CBO  
60  
V
I
- Continuous  
500  
mA  
°C  
C
T , T  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
- 55 ~ 150  
J
STG  
* These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
NOTES:  
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Max.  
Units  
Off Characteristics  
V
V
Collector-Emitter Breakdown Voltage *  
Collector-Base BreakdownVoltage  
Collector Cut-off Current  
I
I
= 1.0mA, I = 0  
50  
60  
V
(BR)CEO  
(BR)CBO  
CEO  
C
C
B
= 100µA, I = 0  
V
E
I
I
I
V
V
V
= 30V, I = 0  
0.1  
10  
10  
µA  
nA  
nA  
CE  
CB  
EB  
B
Collector Cut-off Current  
= 30V, I = 0  
E
CBO  
Emitter Cut-off Current  
= 5.0V, I = 0  
B
EBO  
On Characteristics  
h
DC Current Gain  
V
V
V
V
= 5.0V, I = 10µA  
250  
250  
250  
250  
FE  
CE  
CE  
CE  
CE  
C
= 5.0V, I = 100µA  
650  
C
= 5.0V, I = 1.0mA  
C
= 5.0V, I = 10mA  
C
V
V
(sat)  
(on)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter On Voltage  
I
I
= 10mA, I = 0.5mA  
0.2  
0.6  
V
V
CE  
C
C
B
= 100mA, I = 5.0mA  
B
V
= 5.0V, I = 1.0mA  
0.56  
100  
0.66  
BE  
CE  
C
Small Signal Characteristics  
f
Current gain Bandwidth Product  
V
= 5.0V, I = 1.0mA,  
700  
MHz  
T
CE  
C
f = 100MHz  
C
C
Output Capacitance  
Input Capacitance  
V
V
= 10V, I = 0, f = 1.0MHz  
3.0  
8.0  
pF  
pF  
obo  
ibo  
CB  
EB  
E
= 0.5V, I = 0, f = 1.0MHz  
C
*Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 µs, Duty Cycle ≤ 2.0%  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A, October 2002  
1234

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MMBT6428 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MMBT6517LT1G ONSEMI

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MMBT6428LT1G ONSEMI

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MMBT6428L MOTOROLA

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236A
MMBT6428LT1 ONSEMI

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 		200mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, CASE 318-08, 3 PIN
MMBT6428LT3 MOTOROLA

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236A
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 		NPN (AMPLIFIER TRANSISTOR)

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