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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | SOT-23 | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| Factory Lead Time： | 1 week | 风险等级： | 0.62 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A | 集电极-发射极最大电压： | 40 V |
| 配置： | DARLINGTON | 最小直流电流增益 (hFE)： | 14000 |
| JEDEC-95代码： | TO-236AB | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.225 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 130 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| MMBT6427 | ONSEMI |
类似代替  |
NPN 达林顿晶体管 |
|
| SMMBT6427LT1G | ONSEMI |
类似代替 |
NPN 双极达林顿晶体管 |
|
| MMBT6427LT1 | ONSEMI |
类似代替 |
Darlington Transistor(NPN Silicon) |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MMBT6427LT1G_09 | ONSEMI |
获取价格 |
Darlington Transistor |
|
| MMBT6428 | MOTOROLA |
获取价格 |
Transistor |
|
| MMBT6428 | ONSEMI |
获取价格 |
NPN通用放大器 |
|
| MMBT6428 | FAIRCHILD |
获取价格 |
NPN General Purpose Amplifier |
|
| MMBT6428 | SAMSUNG |
获取价格 |
NPN (AMPLIFIER TRANSISTOR) |
|
| MMBT6428L | MOTOROLA |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236A |
|
| MMBT6428LT1 | ONSEMI |
获取价格 |
Amplifier Transistors(NPN Silicon) |
|
| MMBT6428LT1 | MOTOROLA |
获取价格 |
Amplifier Transistors |
|
| MMBT6428LT1 | DBLECTRO |
获取价格 |
Transistor |
|
| MMBT6428LT1 | LRC |
获取价格 |
Amplifier Transistors(NPN Silicon) |
|
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